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GA0603A101FXBAP31G 发布时间 时间:2025/5/26 21:25:14 查看 阅读:11

GA0603A101FXBAP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺,具有极低的导通电阻和优秀的开关性能,能够显著降低功耗并提高系统效率。
  其封装形式为小型表面贴装类型,适用于高密度电路板设计,并具备良好的散热性能。

参数

型号:GA0603A101FXBAP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压(Vds):60V
  额定电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):45nC
  输入电容(Ciss):2500pF
  输出电容(Coss):75pF
  反向恢复时间(trr):80ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装:PQFN3x3

特性

GA0603A101FXBAP31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,得益于较低的栅极电荷和反向恢复时间,适合高频应用。
  3. 强大的浪涌电流承受能力,确保在启动或短路情况下仍能正常运行。
  4. 小型化封装设计,节省PCB空间,同时提供良好的热性能。
  5. 宽工作温度范围,适应多种恶劣环境下的应用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

这款功率MOSFET适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关元件。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级控制。
  5. 各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。

替代型号

GA0603A091FXBAP31G
  IRF6688
  FDP6802
  AON6802

GA0603A101FXBAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-