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GA0402Y392KXBAP31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:47:30 查看 阅读:8

GA0402Y392KXBAP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),属于增强型场效应晶体管。该器件采用先进的封装技术,能够提供卓越的开关性能和效率,广泛应用于高频、高压及高功率场景。其设计旨在降低导通电阻和开关损耗,从而提升整体系统性能。
  该型号适用于工业级和消费级应用,特别适合需要高效能量转换的场景,如电源管理、DC-DC转换器、太阳能逆变器等。

参数

最大漏源电压:650V
  持续漏极电流:20A
  导通电阻:25mΩ
  栅极电荷:70nC
  输入电容:1800pF
  反向恢复时间:10ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 采用氮化镓材料,具备高电子迁移率和高击穿场强,使得器件能够在高频和高温环境下稳定运行。
  2. 增强型结构(常闭模式)确保了更高的安全性和可靠性,避免了在无驱动信号时意外导通的风险。
  3. 极低的导通电阻有效减少了传导损耗,提高了能效比。
  4. 快速开关速度和低栅极电荷特性使该器件非常适合高频应用场景,能够显著降低开关损耗。
  5. 封装形式紧凑,支持表面贴装工艺,便于自动化生产和集成设计。
  6. 高度耐热设计,允许器件在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 太阳能逆变器
  4. 电机驱动控制
  5. 电动汽车充电桩
  6. 工业电源模块
  7. 通信基站电源
  8. 消费类快充适配器

替代型号

GaN040-650WSB
  GXT65R028E
  IRGB4064DPBF

GA0402Y392KXBAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-