时间：2025/6/5 10:47:30
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GA0402Y392KXBAP31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），属于增强型场效应晶体管。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的开关性能和效率，广泛应用于高频、高压及高功率场景。其设计旨在降低导通电阻和开关损耗，从而提升整体系统性能。
该型号适用于工业级和消费级应用，特别适合需要高效能量转换的场景，如电源管理、DC-DC转换器、太阳能逆变器等。
最大漏源电压：650V
持续漏极电流：20A
导通电阻：25mΩ
栅极电荷：70nC
输入电容：1800pF
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 采用氮化镓材料，具备高电子迁移率和高击穿场强，使得器件能够在高频和高温环境下稳定运行。
2. 增强型结构（常闭模式）确保了更高的安全性和可靠性，避免了在无驱动信号时意外导通的风险。
3. 极低的导通电阻有效减少了传导损耗，提高了能效比。
4. 快速开关速度和低栅极电荷特性使该器件非常适合高频应用场景，能够显著降低开关损耗。
5. 封装形式紧凑，支持表面贴装工艺，便于自动化生产和集成设计。
6. 高度耐热设计，允许器件在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 太阳能逆变器
4. 电机驱动控制
5. 电动汽车充电桩
6. 工业电源模块
7. 通信基站电源
8. 消费类快充适配器
GaN040-650WSB
GXT65R028E
IRGB4064DPBF
