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GA0402Y392JXXAC31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:46:19 查看 阅读:25

GA0402Y392JXXAC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、低功耗应用设计。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有出色的开关特性和较低的导通电阻,适用于各种需要高效能量转换的场景。其封装形式和电气特性使得它在电源管理、电机驱动以及其他电力电子设备中表现优异。
  该器件支持高频开关操作,并且具备良好的热性能,能够承受较大的负载电流,同时保持较低的功耗。此外,它还集成了多种保护功能,如过温保护和短路保护,从而提高了系统的可靠性和安全性。

参数

型号:GA0402Y392JXXAC31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):370W
  结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA0402Y392JXXAC31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。
  4. 内置多重保护机制,提升整体系统可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 可靠性经过严格测试,适用于工业级和消费级产品。
  这些特性使该器件非常适合用于开关电源、逆变器、直流电机驱动器等应用领域。

应用

GA0402Y392JXXAC31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 工业用逆变器及变频器。
  3. 直流电机驱动和控制电路。
  4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
  5. 各种电力电子转换装置,如DC-DC变换器。
  由于其优秀的电气性能和耐用性,这款MOSFET特别适合对效率和可靠性要求较高的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP40NF06L

GA0402Y392JXXAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-