时间：2025/5/29 3:18:17
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GA0402Y183KXJAC31G 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件适用于高频和高功率应用，例如射频功率放大器、通信设备以及雷达系统。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为传统硅基功率器件的理想替代品。
该芯片采用了先进的封装技术以提高散热性能，并且在高频条件下表现出卓越的效率和增益。
类型：增强型场效应晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
额定电压：650V
额定电流：30A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：90nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247-4L
GA0402Y183KXJAC31G 提供了非常低的导通电阻和快速的开关速度，从而显著降低了传导损耗和开关损耗。这种 GaN HEMT 具有较高的击穿电压，能够承受较大的功率密度，同时保持较小的芯片尺寸。
由于其增强型结构设计（e-mode），此器件无需复杂的驱动电路即可直接使用，简化了系统设计并提高了可靠性。
此外，它还具有较低的寄生电感和电容，非常适合高频应用环境下的高效能量转换或信号放大需求。
该器件广泛应用于需要高效率和高性能的领域，包括但不限于：
1. 射频功率放大器
2. 无线充电设备
3. 数据中心电源
4. 新能源汽车中的DC/DC转换器
5. 工业级电机驱动控制
6. 雷达和卫星通信系统
这些应用都依赖于其优异的高频响应能力和稳定的功率输出。
GS66508T-EH, TXGQ16N65EH
