时间：2025/6/5 19:01:28
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GA0402Y182MXXAP31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，主要用于高频、高效率的电力转换场景。该器件采用了先进的 GaN 工艺，能够显著提升开关频率和系统效率，同时降低能量损耗。
这款晶体管适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动、无线充电以及各类需要高性能功率管理的应用场景。
型号：GA0402Y182MXXAP31G
类型：增强型场效应晶体管（e-mode FET）
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压（Vds）：650 V
最大栅源电压（Vgs）：+6 V / -20 V
连续漏极电流（Id）：4 A
导通电阻（Rds(on)）：182 mΩ
输入电容（Ciss）：13.9 nF
输出电容（Coss）：3.2 pF
总栅极电荷（Qg）：35 nC
开关频率：最高支持 MHz 级别
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA0402Y182MXXAP31G 具备以下显著特点：
1. 高效性能：得益于 GaN 材料的优异特性，该晶体管具备更低的导通电阻和开关损耗，从而实现更高的系统效率。
2. 高频操作能力：由于其低寄生电容和快速开关速度，该器件非常适合高频应用，可减少磁性元件体积并提高功率密度。
3. 热稳定性强：工作温度范围广，能够在极端条件下保持稳定运行。
4. 小型化设计：采用紧凑封装形式，便于在空间受限的设计中使用。
5. 易于驱动：兼容标准逻辑电平驱动信号，简化了外围电路设计。
这些特性使得 GA0402Y182MXXAP31G 在众多高要求应用中表现出色。
GA0402Y182MXXAP31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器，提供高效率和小尺寸解决方案。
2. 快速充电器：适用于 USB-PD 和其他类型的快充设备，提升充电速度并减小适配器体积。
3. 电机驱动：为无刷直流电机（BLDC）和其他电机控制系统提供高效的功率转换。
4. 工业电源：如服务器电源、通信电源及 UPS 系统等，满足对高效率和可靠性的需求。
5. 无线充电：支持更高功率的无线充电模块，优化热管理和充电时间。
此外，该器件还适用于 LED 驱动器、太阳能微型逆变器等多种电力电子应用。
GA0402Y182MXXBP31G, GA0402Y182MXXCP31G
