GA0402Y182MXXAP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,主要用于高频、高效率的电力转换场景。该器件采用了先进的 GaN 工艺,能够显著提升开关频率和系统效率,同时降低能量损耗。
这款晶体管适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动、无线充电以及各类需要高性能功率管理的应用场景。
型号:GA0402Y182MXXAP31G
类型:增强型场效应晶体管(e-mode FET)
材料:氮化镓(GaN)
最大漏源电压(Vds):650 V
最大栅源电压(Vgs):+6 V / -20 V
连续漏极电流(Id):4 A
导通电阻(Rds(on)):182 mΩ
输入电容(Ciss):13.9 nF
输出电容(Coss):3.2 pF
总栅极电荷(Qg):35 nC
开关频率:最高支持 MHz 级别
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA0402Y182MXXAP31G 具备以下显著特点:
1. 高效性能:得益于 GaN 材料的优异特性,该晶体管具备更低的导通电阻和开关损耗,从而实现更高的系统效率。
2. 高频操作能力:由于其低寄生电容和快速开关速度,该器件非常适合高频应用,可减少磁性元件体积并提高功率密度。
3. 热稳定性强:工作温度范围广,能够在极端条件下保持稳定运行。
4. 小型化设计:采用紧凑封装形式,便于在空间受限的设计中使用。
5. 易于驱动:兼容标准逻辑电平驱动信号,简化了外围电路设计。
这些特性使得 GA0402Y182MXXAP31G 在众多高要求应用中表现出色。
GA0402Y182MXXAP31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提供高效率和小尺寸解决方案。
2. 快速充电器:适用于 USB-PD 和其他类型的快充设备,提升充电速度并减小适配器体积。
3. 电机驱动:为无刷直流电机(BLDC)和其他电机控制系统提供高效的功率转换。
4. 工业电源:如服务器电源、通信电源及 UPS 系统等,满足对高效率和可靠性的需求。
5. 无线充电:支持更高功率的无线充电模块,优化热管理和充电时间。
此外,该器件还适用于 LED 驱动器、太阳能微型逆变器等多种电力电子应用。
GA0402Y182MXXBP31G, GA0402Y182MXXCP31G