GA0402Y121JXJAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟槽式场效应晶体管系列。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。其封装形式紧凑,适合高密度设计需求。
该器件支持高频开关操作,能够显著提高系统的效率并降低热损耗。此外,它还具备优异的抗雪崩能力和静电防护性能,确保在复杂环境下的可靠运行。
型号:GA0402Y121JXJAC31G
类型:N-Channel MOSFET
工作电压(Vds):40V
连续漏极电流(Id):28A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
栅极电荷(Qg):49nC
总功耗(Ptot):52W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-Leadless (TOLL)
GA0402Y121JXJAC31G 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高频开关能力,适用于高速 PWM 应用。
3. 出色的热性能,能够承受较高的结温,延长使用寿命。
4. 内置反向恢复二极管,优化了续流路径,降低了开关噪声。
5. 强大的短路耐受能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
7. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,便于高密度集成。
该元器件适用于广泛的工业和消费类电子领域,包括但不限于以下应用:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主功率级开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 高效 DC-DC 转换器的核心组件。
4. 电池管理系统 (BMS) 的保护和切换功能。
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
6. 汽车电子中的负载开关和继电器替代方案。
由于其卓越的性能和可靠性,这款 MOSFET 在要求高效能和小尺寸的应用中表现出色。
GA0402Y121JXJAC31G, IRF3205, FDP5510, AO3400