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GA0402Y121JXAAC31G 发布时间 时间:2025/5/30 19:29:48 查看 阅读:7

GA0402Y121JXAAC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,适用于高频开关应用。该器件采用了先进的 GaN 工艺,能够提供卓越的开关性能和低导通电阻。其设计目标是满足现代电源转换系统对更高效率、更小体积以及更快动态响应的需求。
  这款晶体管具有增强型场效应晶体管(e-mode FET)结构,通常用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、PFC(功率因数校正)电路以及无线充电设备中。

参数

型号:GA0402Y121JXAAC31G
  类型:增强型 GaN 功率晶体管
  最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻:120mΩ
  栅极阈值电压:1.8V~3.0V
  工作结温范围:-55℃~+150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)
  绝缘耐压:3750Vrms

特性

GA0402Y121JXAAC31G 提供了显著的性能优势,包括但不限于以下几点:
  1. 高开关频率支持,可实现更紧凑的设计,减少磁性元件和电容的尺寸。
  2. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高整体效率。
  3. 内置优化的 ESD 保护功能,提升了器件在实际应用中的可靠性。
  4. 热阻低,具备良好的散热能力,适合长时间高温运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
  此外,它还拥有快速恢复时间与低寄生电容等特性,从而进一步减少了开关损耗并增强了系统的动态性能。

应用

该 GaN 晶体管广泛应用于各类高效能电力电子领域,例如:
  1. 开关电源(SMPS),如笔记本适配器、显示器电源等。
  2. 工业用 DC-DC 转换器及电信基础设施中的电源模块。
  3. 消费类快充头,尤其是 USB PD 充电器。
  4. LED 驱动电源解决方案。
  5. 太阳能微型逆变器以及其他需要高频工作的场景。

替代型号

GAN041-650WSA
  GAN042-650WSB
  GXT65R040HE
  GXT65R035HE

GA0402Y121JXAAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-