GA0402Y121JXAAC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,适用于高频开关应用。该器件采用了先进的 GaN 工艺,能够提供卓越的开关性能和低导通电阻。其设计目标是满足现代电源转换系统对更高效率、更小体积以及更快动态响应的需求。
这款晶体管具有增强型场效应晶体管(e-mode FET)结构,通常用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、PFC(功率因数校正)电路以及无线充电设备中。
型号:GA0402Y121JXAAC31G
类型:增强型 GaN 功率晶体管
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:4A
导通电阻:120mΩ
栅极阈值电压:1.8V~3.0V
工作结温范围:-55℃~+150℃
封装形式:TO-252(DPAK)
绝缘耐压:3750Vrms
GA0402Y121JXAAC31G 提供了显著的性能优势,包括但不限于以下几点:
1. 高开关频率支持,可实现更紧凑的设计,减少磁性元件和电容的尺寸。
2. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高整体效率。
3. 内置优化的 ESD 保护功能,提升了器件在实际应用中的可靠性。
4. 热阻低,具备良好的散热能力,适合长时间高温运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
此外,它还拥有快速恢复时间与低寄生电容等特性,从而进一步减少了开关损耗并增强了系统的动态性能。
该 GaN 晶体管广泛应用于各类高效能电力电子领域,例如:
1. 开关电源(SMPS),如笔记本适配器、显示器电源等。
2. 工业用 DC-DC 转换器及电信基础设施中的电源模块。
3. 消费类快充头,尤其是 USB PD 充电器。
4. LED 驱动电源解决方案。
5. 太阳能微型逆变器以及其他需要高频工作的场景。
GAN041-650WSA
GAN042-650WSB
GXT65R040HE
GXT65R035HE