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GA0402H821KXAAP31G 发布时间 时间:2025/5/30 13:26:21 查看 阅读:6

GA0402H821KXAAP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
  该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其封装形式和电气性能经过优化,确保在各种复杂工况下的稳定运行。

参数

型号:GA0402H821KXAAP31G
  类型:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
  额定电压:60V
  额定电流:15A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ (最大值,典型值为4mΩ)
  栅极电荷(Qg):35nC
  输入电容(Ciss):3800pF
  总功耗:23W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

GA0402H821KXAAP31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频应用场景,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强在异常条件下的可靠性。
  4. 内置栅极保护二极管,防止栅极过压损坏。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合长期使用。
  6. 优异的热性能设计,支持长时间高负载运行。
  7. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境需求。

应用

该芯片适用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. 各类 DC-DC 转换器模块。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载控制开关。
  5. 工业自动化设备中的功率管理单元。
  6. 汽车电子系统中的辅助电源管理部分。

替代型号

GA0402H821KXAAP31G-A, IRFZ44N, FDP17N60C

GA0402H821KXAAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-