GA0402H821KXAAP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其封装形式和电气性能经过优化,确保在各种复杂工况下的稳定运行。
型号:GA0402H821KXAAP31G
类型:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
额定电压:60V
额定电流:15A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ (最大值,典型值为4mΩ)
栅极电荷(Qg):35nC
输入电容(Ciss):3800pF
总功耗:23W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263-3
GA0402H821KXAAP31G 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,适用于高频应用场景,降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强在异常条件下的可靠性。
4. 内置栅极保护二极管,防止栅极过压损坏。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合长期使用。
6. 优异的热性能设计,支持长时间高负载运行。
7. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境需求。
该芯片适用于多种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 各类 DC-DC 转换器模块。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载控制开关。
5. 工业自动化设备中的功率管理单元。
6. 汽车电子系统中的辅助电源管理部分。
GA0402H821KXAAP31G-A, IRFZ44N, FDP17N60C