时间：2025/5/30 13:26:21
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GA0402H821KXAAP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其封装形式和电气性能经过优化，确保在各种复杂工况下的稳定运行。
型号：GA0402H821KXAAP31G
类型：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
额定电压：60V
额定电流：15A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ (最大值，典型值为4mΩ)
栅极电荷（Qg）：35nC
输入电容（Ciss）：3800pF
总功耗：23W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3
GA0402H821KXAAP31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，适用于高频应用场景，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强在异常条件下的可靠性。
4. 内置栅极保护二极管，防止栅极过压损坏。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合长期使用。
6. 优异的热性能设计，支持长时间高负载运行。
7. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境需求。
该芯片适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 各类 DC-DC 转换器模块。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载控制开关。
5. 工业自动化设备中的功率管理单元。
6. 汽车电子系统中的辅助电源管理部分。
GA0402H821KXAAP31G-A, IRFZ44N, FDP17N60C
