GA0402H152KXXAC31G 是一款高性能的薄膜片式电容器,采用先进的材料和制造工艺,广泛应用于高频滤波、电源去耦、信号耦合等场景。该型号属于 GA 系列,具备高可靠性和优异的电气性能,能够满足苛刻环境下的应用需求。
这款电容器以金属化聚丙烯薄膜为介质,具有低损耗角正切特性和高耐压能力,能够在高频条件下保持稳定的性能表现。
容量:0.1μF
额定电压:500V
耐压:630V
损耗角正切:≤0.0008
绝缘电阻:≥10000MΩ
工作温度范围:-55℃~+125℃
尺寸:15mm x 2mm
GA0402H152KXXAC31G 的主要特性包括:
1. 超低损耗:由于采用了高质量的聚丙烯薄膜,该电容器在高频条件下表现出极低的损耗特性,适合对效率要求较高的应用场景。
2. 高可靠性:经过严格的老化测试和筛选,确保其在长时间使用后仍能保持稳定性能。
3. 宽温范围:支持从 -55℃ 到 +125℃ 的宽温度范围操作,适用于极端环境条件。
4. 小型化设计:紧凑的外形使得该电容器非常适合空间受限的应用场合。
5. 高频稳定性:即使在高频条件下,也能保持较低的阻抗和稳定的电容值。
该型号电容器适用于以下领域:
1. 开关电源中的滤波电路,用于抑制电磁干扰(EMI)。
2. 音频设备中的信号耦合与旁路功能。
3. 工业控制设备中的电源去耦。
4. 高频通信设备中的谐振和匹配网络。
5. 汽车电子系统中的高频滤波器组件。
6. 医疗设备中对精度和可靠性要求较高的电路部分。
GA0402H152KXXAC30G
GA0402H152KXXAC32G
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