GA0402H152JXAAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,在导通电阻和开关性能上表现出色,能够有效降低功耗并提高系统的效率。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高频开关场景,广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
耐压:40V
持续漏极电流:28A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷:60nC
开关速度:快速开关
封装形式:TO-247
GA0402H152JXAAC31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够显著减少功率损耗,从而提升系统效率。
2. 高额定电流,适合大功率应用场景。
3. 快速开关能力,支持高频工作环境。
4. 优异的热稳定性,确保在高负载条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 封装设计坚固耐用,能够承受恶劣的工作条件。
该芯片适用于以下应用场景:
1. 开关电源中的主开关管。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 工业自动化控制中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
GA0402H152JXAAC32G
IRFZ44N
FDP15N40
STP20NM60