时间：2025/5/30 13:19:00
阅读：16
GA0402A8R2BXAAC31G 是一款由日本厂商罗姆（ROHM）生产的沟槽型功率 MOSFET，该器件采用 N 沟道技术。它广泛应用于需要高效率和快速开关性能的场景，如电机驱动、DC-DC 转换器以及各类电源管理电路中。
这款芯片以其低导通电阻、优异的热性能以及紧凑的封装形式而著称，适合用于对空间和效率要求较高的应用环境。
型号：GA0402A8R2BXAAC31G
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：40V
RDS(on)（导通电阻）：2mΩ（典型值，VGS=10V时）
IDS（连续漏极电流）：96A
VGS（栅源电压）：±20V
功耗：75W（最大值）
封装形式：TO-Leadless（表面贴装）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA0402A8R2BXAAC31G 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，提高高频应用中的性能。
4. 紧凑型无引脚封装设计，节省PCB空间并改善热性能。
5. 提供了更高的雪崩击穿能力和更强的抗静电能力，增强了产品的可靠性。
6. 宽泛的工作温度范围使其能够适应恶劣环境下的使用需求。
此款功率 MOSFET 可以广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 各种工业用电机控制与驱动。
3. 汽车电子系统的负载切换及保护。
4. LED 照明驱动电路。
5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备。
6. 笔记本电脑适配器和其他便携式设备的电源解决方案。
其高性能表现使得 GA0402A8R2BXAAC31G 成为众多高效率、高密度电力电子设计的理想选择。
IRFZ44N
STP90NF06L
FDP5800
