时间：2025/6/12 5:07:01
阅读：8
GA0402A6R8DXBAP31G 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该型号采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）技术，具有极低的导通电阻和快速开关性能。其封装形式为表面贴装器件（SMD），能够满足紧凑型设计需求。这种 GaN 晶体管广泛应用于电源转换、DC-DC 转换器、无线充电模块以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9A
导通电阻：6.5mΩ
栅极电荷：30nC
输入电容：1700pF
输出电容：150pF
反向传输电容：30pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：LLP8x8
GA0402A6R8DXBAP31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗。
2. 高速开关能力，支持 MHz 级别的开关频率。
3. 减少了寄生电感和寄生电容的影响，从而提高了整体效率。
4. 具备优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
5. 内置 ESD 保护功能，提升了产品的可靠性。
6. 封装紧凑，便于实现小型化设计。
该芯片适用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS），例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 图腾柱无桥 PFC（功率因数校正）电路。
3. 快速充电适配器和 USB-PD 控制器。
4. 无线充电发射端和接收端模块。
5. 工业级电机驱动和伺服控制系统。
6. 高频逆变器和 LED 驱动器。
GA0402A6R8M1BAP30G
GAN043-650WS
TXGQ10H100B
