时间：2025/6/11 18:33:44
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GA0402A4R7DXXAP31G 是一种基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，属于高效能宽禁带半导体器件。该型号专为高频、高效率应用场景设计，广泛适用于开关电源、DC-DC转换器和射频放大器等领域。
该芯片采用增强型场效应晶体管（e-mode HEMT）结构，具有低导通电阻和快速开关性能的特点，同时支持高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：25nC
输入电容：800pF
输出电容：25pF
反向传输电容：20pF
典型开关速度：20ns
工作温度范围：-40℃至+125℃
1. 高效能量转换：得益于低导通电阻和低栅极电荷设计，该芯片能够在高频条件下实现更高的效率。
2. 快速开关性能：其纳秒级开关速度使得它非常适合高频应用环境，减少开关损耗。
3. 热稳定性强：在较宽的工作温度范围内保持稳定性能，适合工业和汽车级应用。
4. 小型封装：该型号通常采用紧凑型表面贴装封装，便于PCB布局并节省空间。
5. 可靠性高：经过严格测试，确保在恶劣环境下长期使用。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 无线充电模块
4. 射频功率放大器
5. 电动汽车充电桩
6. 工业电机驱动系统
GAN040-650WSA
GAN040-650WST
IRGB4062DPBF
