GA0402A390FXAAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率并降低功耗。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,支持较高的工作电压,同时具备良好的热性能和电气性能,使其在各种工业和消费类电子产品中得到广泛应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:40A
导通电阻:3.9mΩ
栅极电荷:58nC
开关时间:ton=18ns, toff=27ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
GA0402A390FXAAC31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可以有效减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 内置防静电保护电路,增强了器件的可靠性。
4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
5. 优秀的热稳定性和电气性能,能够在恶劣环境下保持稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器和 UPS 不间断电源。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
这些应用场景充分利用了 GA0402A390FXAAC31G 的高效功率转换能力和高可靠性。
GA0402A390FXAAC32G, IRFZ44N, FDP5800