时间：2025/6/5 19:03:50
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GA0402A1R8CXBAP31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电源转换、射频放大器和工业驱动等领域。
该芯片通过优化栅极驱动要求和热管理特性，能够在高负载条件下提供稳定性能，同时降低系统能耗。
型号：GACXBAP31G
类型：GaN 功率晶体管
封装形式：BAP31G
最大漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ
栅极电荷（Qg）：75nC
开关频率范围：高达 5MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
结温：最高 175°C
GA0402A1R8CXBAP31G 的主要特点是采用了先进的氮化镓材料，具备以下优势：
1. 高效率：由于低导通电阻和快速开关能力，能够显著减少能量损耗。
2. 小尺寸：与传统硅基器件相比，其体积更小，适合紧凑型设计。
3. 高可靠性：支持宽温度范围和高耐压能力，适应恶劣的工作环境。
4. 快速动态响应：适用于高频开关场景，例如 DC-DC 转换器和无线充电系统。
5. 简化的外围电路设计：内置保护功能，如过流保护和短路保护，降低了设计复杂度。
该器件适用于多种高性能电子系统，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 数据中心服务器电源
3. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器
4. 太阳能逆变器
5. 工业电机驱动
6. 通信基站中的射频功率放大器
7. 快速充电适配器
GAN041-650WSA
GAN041-650WSB
Transphorm TP65H038WS
