GA0402A1R8CXBAP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,专为高频和高效率应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管(e-mode FET)结构,具备低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于电源转换、射频放大器和工业驱动等领域。
该芯片通过优化栅极驱动要求和热管理特性,能够在高负载条件下提供稳定性能,同时降低系统能耗。
型号:GACXBAP31G
类型:GaN 功率晶体管
封装形式:BAP31G
最大漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):18mΩ
栅极电荷(Qg):75nC
开关频率范围:高达 5MHz
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
结温:最高 175°C
GA0402A1R8CXBAP31G 的主要特点是采用了先进的氮化镓材料,具备以下优势:
1. 高效率:由于低导通电阻和快速开关能力,能够显著减少能量损耗。
2. 小尺寸:与传统硅基器件相比,其体积更小,适合紧凑型设计。
3. 高可靠性:支持宽温度范围和高耐压能力,适应恶劣的工作环境。
4. 快速动态响应:适用于高频开关场景,例如 DC-DC 转换器和无线充电系统。
5. 简化的外围电路设计:内置保护功能,如过流保护和短路保护,降低了设计复杂度。
该器件适用于多种高性能电子系统,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 数据中心服务器电源
3. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器
4. 太阳能逆变器
5. 工业电机驱动
6. 通信基站中的射频功率放大器
7. 快速充电适配器
GAN041-650WSA
GAN041-650WSB
Transphorm TP65H038WS