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GA0402A1R8CXBAP31G 发布时间 时间:2025/6/5 19:03:50 查看 阅读:8

GA0402A1R8CXBAP31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,专为高频和高效率应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管(e-mode FET)结构,具备低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于电源转换、射频放大器和工业驱动等领域。
  该芯片通过优化栅极驱动要求和热管理特性,能够在高负载条件下提供稳定性能,同时降低系统能耗。

参数

型号:GACXBAP31G
  类型:GaN 功率晶体管
  封装形式:BAP31G
  最大漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ
  栅极电荷(Qg):75nC
  开关频率范围:高达 5MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  结温:最高 175°C

特性

GA0402A1R8CXBAP31G 的主要特点是采用了先进的氮化镓材料,具备以下优势:
  1. 高效率:由于低导通电阻和快速开关能力,能够显著减少能量损耗。
  2. 小尺寸:与传统硅基器件相比,其体积更小,适合紧凑型设计。
  3. 高可靠性:支持宽温度范围和高耐压能力,适应恶劣的工作环境。
  4. 快速动态响应:适用于高频开关场景,例如 DC-DC 转换器和无线充电系统。
  5. 简化的外围电路设计:内置保护功能,如过流保护和短路保护,降低了设计复杂度。

应用

该器件适用于多种高性能电子系统,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 数据中心服务器电源
  3. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器
  4. 太阳能逆变器
  5. 工业电机驱动
  6. 通信基站中的射频功率放大器
  7. 快速充电适配器

替代型号

GAN041-650WSA
  GAN041-650WSB
  Transphorm TP65H038WS

GA0402A1R8CXBAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.8 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-