时间：2025/5/29 3:14:43
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GA0402A121GXAAC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件属于沟道增强型场效应晶体管，其设计优化了导通电阻和开关速度，能够显著提升效率并降低能耗。
这款 MOSFET 的封装形式为行业标准封装，适合表面贴装工艺，具有良好的热性能和电气特性，适用于高密度和紧凑型设计需求。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
栅极电荷（Qg）：46nC
总电容（Ciss）：1880pF
功耗（Pd）：175W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA0402A121GXAAC31G 具备低导通电阻，从而减少传导损耗，提高系统效率。同时，其快速开关能力使其非常适合高频应用环境。
此外，该 MOSFET 具有出色的热稳定性和抗浪涌电流能力，能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。
它还具备较低的栅极电荷和输入电容，这有助于简化驱动电路设计，并进一步降低开关损耗。
此器件采用无铅封装，符合 RoHS 标准，支持环保制造流程。
该芯片广泛应用于各类工业和消费电子领域，例如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）、负载开关以及 LED 驱动等场景。
在电动汽车和混合动力汽车中，它也可用于牵引逆变器和辅助电源模块。
此外，由于其高功率处理能力和紧凑尺寸，该器件是服务器电源、通信电源和其他高能效应用的理想选择。
GA0402A121GXAAC32G
IRFZ44N
FDP5800
