GA0402A121FXXAC31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件,属于新一代宽禁带半导体器件。该型号具有高开关速度、低导通电阻和优异的热性能,适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电源适配器以及充电器等应用领域。
这款芯片采用增强型场效应晶体管 (e-mode GaN FET) 结构设计,能够显著提高功率密度并降低系统成本。此外,它集成了多种保护功能,例如过温保护和短路保护,确保在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
额定电压:650V
导通电阻:120mΩ
最大电流:8A
栅极电荷:7nC
反向恢复时间:无(由于 GaN 材质特性)
封装类型:DFN8
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
GA0402A121FXXAC31G 的主要特性包括:
1. 高开关频率支持,可实现更小的磁性元件和滤波器设计,从而减少整体系统尺寸。
2. 极低的导通电阻和输出电容,有助于降低传导损耗和开关损耗。
3. 内置驱动器优化设计,简化了与控制器的接口连接。
4. 具备快速动态响应能力,适用于需要精准电压调节的应用场景。
5. 热阻抗较低,能有效提升散热性能,延长产品寿命。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合大规模生产环境。
该型号广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品的快充方案,如手机、笔记本电脑和其他便携式设备的充电器。
2. 开关模式电源 (SMPS),用于数据中心服务器及通信设备供电。
3. 无线充电系统中的高效功率传输模块。
4. LED 驱动器和光伏逆变器中对效率要求较高的部分。
5. 电动工具和家用电器的电源管理单元。
GA0402A150FXXAC31G, KSG06508B, EPC2016C