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GA0402A101GXXAP31G 发布时间 时间:2025/5/31 0:10:43 查看 阅读:11

GA0402A101GXXAP31G 是一款基于硅技术设计的高性能功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。
  该器件封装紧凑,适合高密度电路板布局,同时具备出色的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其优化的设计结构使其在高频开关应用中表现出卓越的效率。

参数

型号:GA0402A101GXXAP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极击穿电压:40V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻(典型值):10mΩ
  栅极电荷:10nC
  开关速度:快速
  封装形式:SOT-23
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

GA0402A101GXXAP31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频开关应用场合。
  3. 小型化的SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 出色的热稳定性,确保在极端温度条件下的可靠运行。
  5. 内置ESD保护功能,增强抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特性使该芯片成为消费电子、工业控制以及通信设备的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源适配器
  2. DC-DC转换器模块
  3. 负载开关
  4. 消费类电子产品中的电源管理
  5. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动
  6. 各种便携式设备中的电池管理
  由于其高效的能量转换能力和紧凑的尺寸,GA0402A101GXXAP31G 特别适合对体积和效率要求较高的场景。

替代型号

GA0402A101GXXBP31G
  IRLML6402
  FDMQ8207

GA0402A101GXXAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-