时间：2025/8/2 11:05:09
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G7K2N20HE 是一款由 Global Mixed-mode Technology Inc.（GMT）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高效率、高频开关操作，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，适用于各类 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制电路。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：200 V
栅源电压 Vgs：±30 V
漏极电流 Id：11 A（连续）
导通电阻 Rds(on)：约 0.45 Ω @ Vgs = 10 V
功率耗散：125 W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
G7K2N20HE MOSFET 具备低导通电阻特性，有助于减少功率损耗并提高效率。其最大漏源电压为 200 V，能够满足中高功率应用的需求，例如 AC-DC 电源、DC-DC 转换器以及马达驱动系统。该器件采用先进的平面技术，具备优良的热稳定性和可靠性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅极驱动，确保在不同工作条件下都能保持良好的导通性能。此外，其快速开关特性可降低开关损耗，适用于高频工作环境，从而提高整体系统效率。
G7K2N20HE 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，适用于现代电子设备中对空间和散热管理有较高要求的设计。其额定功率耗散为 125W，能够在较高负载下稳定运行，适合用于持续高功率应用。
该器件的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C，适应多种环境条件下的稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。同时，其栅极具有较高的耐压能力（±30V），可防止栅极击穿，提高了器件的可靠性。
G7K2N20HE MOSFET 主要应用于功率电子领域，包括但不限于以下场景：
1. **电源管理**：如 AC-DC 电源适配器、开关电源（SMPS）、电池充电器等，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高电源转换效率。
2. **DC-DC 转换器**：在升压（Boost）和降压（Buck）转换器中作为开关元件使用，适用于车载电源系统、通信设备和工业控制系统。
3. **马达控制**：用于直流马达驱动、步进马达控制器和电动工具等应用，提供高效的功率控制。
4. **负载开关**：在智能电表、自动化控制和工业设备中作为高边或低边开关使用，实现对负载的精确控制。
5. **逆变器和 UPS 系统**：用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用，支持高频开关操作，提升系统效率和稳定性。
20N50, 20N50C, 20N50L, 20N50CF, FQA20N50C, FQA20N50CL
