制造商：Globalfoundries
　　产品类型：射频放大器/前端IC
　　技术工艺：硅锗（SiGe）
　　工作频率范围：24 GHz 至 30 GHz
　　典型增益：24 dB
　　噪声系数：2.8 dB（典型值）
　　输出P1dB：+15 dBm
　　OIP3（三阶交调点）：+28 dBm
　　供电电压：3.3 V 或 5 V 可选
　　静态电流：120 mA（典型值）
　　封装类型：QFN-16 或类似小型化封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：差分输入/输出（可选单端匹配）
　　集成功能：片上偏置电路、ESD保护

G674L240T1U具备卓越的高频性能，专为毫米波频段应用而设计，在24GHz至30GHz范围内表现出色。其核心优势在于采用硅锗（SiGe）异质结双极晶体管（HBT）工艺，这种技术结合了双极型晶体管的高增益与高速特性以及CMOS工艺的可集成性，使得该芯片在保持高线性度的同时实现低噪声放大能力。其典型噪声系数仅为2.8dB，确保在接收链路前端能有效提升信噪比，从而增强系统的灵敏度和通信距离。同时，高达+28dBm的OIP3表明其具有很强的抗干扰能力，能够处理多载波或高动态范围信号而不产生显著失真，适用于高密度调制格式如64-QAM甚至256-QAM的无线系统。
　　该器件提供约24dB的中等增益水平，并具备良好的增益平坦度（±0.5dB以内），这有助于减少后续级联滤波或均衡电路的设计复杂度。输出P1dB达到+15dBm，意味着它可以作为驱动级放大器使用，直接驱动混频器或天线阵列单元，尤其适合相控阵雷达或5G毫米波基站中的波束成形网络。内部集成了稳定的偏置电路，用户无需外加复杂的偏置网络即可实现稳定工作，简化了外围设计并提高了生产一致性。此外，芯片内置ESD保护结构，可承受超过2kV HBM静电放电，增强了在自动化装配和现场使用中的鲁棒性。
　　G674L240T1U支持3.3V或5V两种供电模式，适应不同系统电源架构需求，静态电流控制在120mA左右，实现了高性能与能效之间的良好折衷。其QFN小型封装不仅节省PCB空间，还通过底部接地焊盘实现高效散热，保证长时间高负载运行下的热稳定性。整个设计符合RoHS环保标准，适合大规模商用部署。

G674L240T1U广泛应用于高频无线通信系统中，特别是在24GHz至30GHz毫米波频段的各种设备中发挥关键作用。一个典型应用场景是5G固定无线接入（FWA）和毫米波小基站，其中该芯片用于上行链路低噪声放大或下行链路驱动放大，保障高速数据传输的稳定性和覆盖范围。在点对点（PtP）和点对多点（PtMP）微波回传系统中，G674L240T1U常被集成于E-band或V-band射频前端模块中，承担中频或射频信号的放大任务，支持高达数Gbps的数据吞吐量，满足城市密集区域的骨干网扩容需求。
　　此外，该器件也适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载雷达系统，尤其是在24GHz短程雷达（SRR）应用中，尽管部分国家已逐步转向77GHz方案，但在工业传感、液位检测和安防监控领域仍存在大量沿用24GHz频段的设计，G674L240T1U凭借其高线性度和低相位噪声表现成为优选方案之一。在测试与测量仪器方面，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪的前端模块中，该芯片可用于构建高性能放大通道，提升仪器的动态范围和测量精度。
　　其他潜在应用包括卫星通信终端、无人机远程图传系统、智能交通系统（ITS）中的车辆识别模块以及工业物联网（IIoT）中的远距离无线传感器网络。由于其支持差分输入输出接口，便于与高速ADC/DAC或数字波束成形IC进行匹配连接，因此也非常适合用于相控阵天线系统和MIMO通信架构中的模拟前端设计。整体而言，G674L240T1U是一款面向未来高频通信基础设施的关键元器件，具备高度通用性和工程实用性。

HMC1040MS8GE
　　 LTC6431-15
　　 MAX2659