类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.22Ω（最大0.27Ω）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大栅极电压：±20V
　　耗散功率（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-263（表面贴装）

G60N60SMD具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了能效。其次，该器件具有较高的额定漏极电流（60A），能够承受较大的负载电流，适用于高功率应用。此外，600V的漏源电压额定值使其适用于高压开关电路，如电源转换器和电机驱动器。
　　G60N60SMD采用表面贴装封装技术，有助于提高PCB布局的密度并简化制造流程。其高功率耗散能力（300W）确保在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性。器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），提高了驱动电路的设计灵活性。此外，其栅极阈值电压在2V~4V之间，兼容常见的驱动电路设计，便于与控制芯片配合使用。
　　在可靠性方面，G60N60SMD具备良好的抗过载能力和热稳定性，适用于各种严苛环境下的应用。该器件还具备快速开关能力，降低了开关损耗，从而提高了整体系统效率。同时，其内部结构优化，降低了寄生电容，有助于提升高频工作的稳定性。

G60N60SMD适用于多种高功率和高频开关应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。由于其表面贴装封装形式，特别适合用于对空间要求较高的应用，如通信设备电源模块、消费类电子产品电源适配器以及电动汽车充电系统等。此外，该器件也常用于太阳能逆变器、LED驱动电源以及家用电器中的电机控制电路。

IRFZ44N, FDPF60N60S3, STP60N60S2, IPW60R022C6