G60N60 时间：2025/8/25 1:12:42 阅读：3

G60N60 是一款常用的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电力电子设备中。该器件以其高耐压、大电流承载能力和快速开关特性而受到青睐。G60N60 采用TO-247封装，适用于各种高功率应用，如电源转换器、电机驱动和逆变器系统。该器件的N沟道结构使其在导通状态下具有较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高整体效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.18Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2~4V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

G60N60 MOSFET具备多项优异的电气和机械特性。首先，其600V的漏源电压额定值使其适用于中高功率应用，能够承受较高的电压应力。其次，该器件的最大连续漏极电流为60A，具有较强的大电流处理能力，适用于需要高输出功率的电路设计。
　　导通电阻方面，G60N60 的Rds(on)典型值低于0.18Ω，这有助于降低导通损耗，提高能效。此外，该器件的栅极阈值电压在2~4V之间，确保了良好的栅极控制性能，并兼容多种驱动电路。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和耐用性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境条件。TO-247封装不仅提供良好的散热性能，还便于安装和散热片连接，有助于提高整体系统的可靠性。
　　G60N60 还具有快速开关特性，能够实现高效的高频操作，减少开关损耗，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器等高频应用场合。

应用

G60N60 MOSFET主要应用于各类高功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（如AC-DC电源适配器、服务器电源）、DC-DC转换器、电机控制电路、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其高电流和高电压能力，该器件也常用于电动汽车充电设备、储能系统和家用电器中的高功率开关控制电路。在音频功率放大器设计中，G60N60也可用于电源部分，以提供稳定高效的供电能力。
　　此外，该MOSFET还可用于各类负载开关、电源管理电路和智能电网相关设备中，适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统。