时间：2025/8/24 16:33:19
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G60N170 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、电动汽车充电器以及工业自动化设备等领域。G60N170 采用TO-247封装形式，确保良好的散热性能，同时具备较高的可靠性。
型号：G60N170
制造商：Toshiba
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1700V
最大漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.115Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：约5V
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
G60N170 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其最大漏源电压（Vds）达到1700V，能够承受高压环境下的工作条件，适用于高电压转换和功率调节系统。其次，最大漏极电流（Id）为60A，表明其具有较强的电流承载能力，适合用于大功率负载的控制。
该器件的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.115Ω，较低的导通电阻意味着在导通状态下损耗更小，提高了系统的整体效率。此外，G60N170 的栅极阈值电压（Vgs(th)）约为5V，使得其在标准驱动电路中即可实现可靠的导通控制。
在热性能方面，G60N170 采用TO-247封装，提供良好的散热能力，有助于维持器件在高负载条件下的稳定性。最大工作温度为150°C，确保其在高温环境下依然能够稳定运行。
此外，G60N170 具有快速开关特性，能够减少开关损耗并提高系统的响应速度。这一特性对于高频开关应用尤为重要，例如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动系统。
G60N170 MOSFET广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：工业电源系统、电动车辆充电器、太阳能逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、高压直流（HVDC）转换器以及各种类型的功率调节设备。
在工业电源系统中，G60N170 被用于高效率的DC-AC逆变器和DC-DC转换器，以实现稳定的电源输出。在电动汽车充电器中，该器件负责高电压的转换和调节，确保电池安全高效地充电。
太阳能逆变器利用G60N170的高耐压和低导通电阻特性，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。在电机驱动系统中，该MOSFET用于控制电机的速度和转矩，适用于工业自动化和机器人控制系统。
由于其优异的电气性能和高可靠性，G60N170 还被广泛应用于不间断电源系统（UPS）中，以确保在主电源故障时能够迅速切换至备用电源，保障关键设备的持续运行。
TK60A170D, G60N170D
