类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.0Ω（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（PD）：30W

G5N60RUF 功率MOSFET具备一系列优良的电气和机械特性，适用于各种高要求的应用环境。
　　首先，该器件采用了先进的平面工艺技术制造，使其具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。在VGS=10V时，Rds(on)的典型值为2.0Ω，有助于降低系统发热，提高能效。
　　其次，G5N60RUF的最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率电源转换器和开关电源设计。最大漏极电流为5A，适合中等电流负载的应用场景。
　　该器件的栅源电压范围为±20V，确保在驱动过程中不会因过高的电压而损坏栅极结构。此外，其TO-220封装提供了良好的散热性能，有助于在高功率工作条件下维持稳定运行。
　　G5N60RUF 还具备快速开关特性，其开关损耗较低，适合高频开关应用，如DC-DC转换器、LED驱动电路和电机控制电路等。其热阻较低，增强了在高温度环境下的可靠性。
　　此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压情况下提供一定的保护，提高系统的稳定性和使用寿命。

G5N60RUF MOSFET 主要用于以下几种类型的应用中：
　　在电源管理系统中，它常用于AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关元件，特别是在离线式反激变换器、升压（Boost）和降压（Buck）拓扑中表现良好。由于其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于节能型开关电源设计。
　　在电机控制领域，G5N60RUF 可用于H桥驱动电路中，控制直流电机或步进电机的转向和速度。其高电压和中等电流能力使其适用于小功率电机控制系统。
　　该器件也常见于LED照明系统中，尤其是在恒流驱动方案中作为开关元件使用，以提高电源转换效率并减小散热需求。
　　此外，G5N60RUF 还可用于工业自动化设备中的继电器替代方案、电池充电器、电焊机、感应加热设备以及家用电器中的功率控制电路中。其TO-220封装形式便于安装和散热，适用于需要中等功率处理能力的应用场景。

TK11A60D, 2SK2545, 2SK2141, IRF740, FQA7N60C