G5728TO1U 时间：2025/4/30 20:03:53 阅读：38

G5728TO1U是一种基于硅工艺制造的高压MOSFET晶体管，主要用于功率转换、电机驱动以及开关电源等应用。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够在高频条件下实现高效能量转换。其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能和机械稳定性。
　　这款器件广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域，尤其适用于需要高效率和小体积设计的应用场景。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：2.3A
　　导通电阻：1.2Ω
　　栅极电荷：19nC
　　功耗：4.6W
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

G5728TO1U采用先进的制造技术，具备以下主要特性：
　　1. 高击穿电压，适合高压环境下的工作需求；
　　2. 极低的导通电阻，在开关过程中减少功率损耗；
　　3. 快速开关速度，能够有效降低开关损耗并提高系统效率；
　　4. 优秀的热稳定性和耐用性，确保在极端条件下的可靠性；
　　5. 小型化封装设计，节省PCB空间，简化布局布线。

应用

G5728TO1U适用于以下应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关；
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关；
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件；
　　4. 工业自动化设备中的负载切换控制；
　　5. 汽车电子系统中的电池管理及保护模块。
　　其高性能表现使该器件成为许多高效能功率应用的理想选择。