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G5728TO1U 发布时间 时间:2025/4/30 20:03:53 查看 阅读:38

G5728TO1U是一种基于硅工艺制造的高压MOSFET晶体管,主要用于功率转换、电机驱动以及开关电源等应用。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够在高频条件下实现高效能量转换。其封装形式为TO-252(DPAK),具备良好的散热性能和机械稳定性。
  这款器件广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域,尤其适用于需要高效率和小体积设计的应用场景。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:2.3A
  导通电阻:1.2Ω
  栅极电荷:19nC
  功耗:4.6W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

G5728TO1U采用先进的制造技术,具备以下主要特性:
  1. 高击穿电压,适合高压环境下的工作需求;
  2. 极低的导通电阻,在开关过程中减少功率损耗;
  3. 快速开关速度,能够有效降低开关损耗并提高系统效率;
  4. 优秀的热稳定性和耐用性,确保在极端条件下的可靠性;
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间,简化布局布线。

应用

G5728TO1U适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关;
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关;
  3. 电机驱动电路中的功率级元件;
  4. 工业自动化设备中的负载切换控制;
  5. 汽车电子系统中的电池管理及保护模块。
  其高性能表现使该器件成为许多高效能功率应用的理想选择。

替代型号

IRF540N
  STP120NF06L
  FDP16N60C
  AO3402A

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