G5728TO1U是一种基于硅工艺制造的高压MOSFET晶体管,主要用于功率转换、电机驱动以及开关电源等应用。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够在高频条件下实现高效能量转换。其封装形式为TO-252(DPAK),具备良好的散热性能和机械稳定性。
这款器件广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域,尤其适用于需要高效率和小体积设计的应用场景。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:2.3A
导通电阻:1.2Ω
栅极电荷:19nC
功耗:4.6W
工作温度范围:-55℃至150℃
G5728TO1U采用先进的制造技术,具备以下主要特性:
1. 高击穿电压,适合高压环境下的工作需求;
2. 极低的导通电阻,在开关过程中减少功率损耗;
3. 快速开关速度,能够有效降低开关损耗并提高系统效率;
4. 优秀的热稳定性和耐用性,确保在极端条件下的可靠性;
5. 小型化封装设计,节省PCB空间,简化布局布线。
G5728TO1U适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关;
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关;
3. 电机驱动电路中的功率级元件;
4. 工业自动化设备中的负载切换控制;
5. 汽车电子系统中的电池管理及保护模块。
其高性能表现使该器件成为许多高效能功率应用的理想选择。
IRF540N
STP120NF06L
FDP16N60C
AO3402A