G547G1TB1U 时间：2025/7/16 11:50:55 阅读：8

G547G1TB1U 是一款高性能的功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合应用于各类高效能电源转换场景，如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）以及电机驱动等领域。
　　TO-263 封装提供了良好的散热性能和电气特性，能够满足工业级应用需求。

参数

型号：G547G1TB1U
　　封装：TO-263
　　最大漏源电压 (VDS)：60V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20V
　　连续漏极电流 (ID)：40A
　　导通电阻 (RDS(on))：4.5mΩ
　　总功耗：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　栅极电荷 (Qg)：95nC

特性

G547G1TB1U 具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗并提升系统效率。
　　2. 高速开关能力，支持高频操作以减小磁性元件体积。
　　3. 强大的电流处理能力，适用于高功率密度设计。
　　4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
　　5. 内置反向二极管，简化电路设计并提供额外保护功能。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。

应用

G547G1TB1U 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动控制，用于家用电器和工业自动化设备。
　　3. 逆变器及 UPS 系统中的功率管理模块。
　　4. 工业级负载切换和电池管理系统。
　　5. 可再生能源领域，例如太阳能微逆变器和储能系统。
　　由于其出色的电气特性和热稳定性，这款 MOSFET 成为需要高效率和可靠性的应用场景的理想选择。