G5244T11U 是一款由 IXYS 公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高功率电子设备中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和逆变器等场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:110A
最大漏-源电压:100V
导通电阻(Rds(on)):≤8.5mΩ
栅极电荷:220nC
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装形式:TO-247
功率耗散:300W
G5244T11U MOSFET具有多项优异的电气特性。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提升系统效率。该器件的高电流容量和高耐压能力使其能够在严苛的工况下稳定运行。此外,G5244T11U的封装设计具备良好的散热性能,有助于提升器件在高功率应用中的可靠性。
这款MOSFET的栅极电荷较低,有助于实现快速开关,从而减少开关损耗。其高dv/dt能力也使得器件在高频开关应用中表现出色。G5244T11U还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力,进一步增强了其在高应力环境下的可靠性。
G5244T11U MOSFET适用于多种高功率和高效率电子系统。典型应用包括工业电源、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、太阳能逆变器和电动汽车充电系统。由于其高可靠性和优异的热性能,该器件也常用于需要高可靠性的汽车电子和工业控制领域。
IRF1404, SiR144DP, IXFH110N10T