G50N10 时间：2025/12/27 7:59:05 阅读：15

G50N10是一款由Global Power Integrated Solutions（简称GPIS）推出的高性能、高可靠性的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和照明镇流器等中高功率电子系统中。该器件采用先进的平面场效应晶体管技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性等特点，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。G50N10中的型号命名通常代表其电气特性：'G'为厂商前缀，'50'表示其在特定测试条件下的漏极电流能力（约50A），'N'表示N沟道类型，'10'则代表其漏源击穿电压约为100V。该器件常采用TO-220或TO-263等标准封装形式，便于散热设计与PCB布局，适用于工业控制、消费电子及汽车电子等多种应用场景。得益于其优良的动态性能和坚固的结构设计，G50N10能够在高温、高湿和强电磁干扰环境下稳定运行，满足严苛的工业级可靠性要求。此外，该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力和抗短路能力，增强了系统在异常工况下的安全性和鲁棒性。

参数

型号：G50N10
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：200A
　　导通电阻（Rds(on)）：10mΩ @ Vgs=10V, Id=25A
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：4500pF @ Vds=50V
　　输出电容（Coss）：1100pF @ Vds=50V
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220/TO-263

特性

G50N10的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为10mΩ，在高电流应用中显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这一特性使其特别适合用于大电流开关电源和同步整流电路中，有助于减少发热并缩小散热器尺寸，从而实现更紧凑的系统设计。
　　其次，该器件具有优异的开关性能，输入电容和输出电容均经过优化设计，确保在高频开关条件下仍能保持较低的驱动损耗和快速的上升/下降时间。其反向恢复时间较短，减少了体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰，提升了系统的EMI表现和整体稳定性。
　　G50N10还具备良好的热稳定性和长期可靠性。芯片采用先进的封装工艺，具有较低的热阻（Rth(j-c)），能够高效地将结温传导至外部散热环境，防止局部过热导致的性能衰减或失效。同时，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在恶劣工作条件下仍能维持稳定性能。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在突发电压冲击或电感负载断开时承受一定的雪崩能量，避免因瞬态过压而导致永久性损坏。这种坚固的设计使其在电机驱动和逆变器等存在高感性负载的应用中表现出色。
　　最后，G50N10的栅极阈值电压范围合理（2.0V~4.0V），兼容多种逻辑电平驱动信号，支持与常见的PWM控制器和驱动IC无缝对接，简化了外围电路设计。综合来看，G50N10是一款集高效、可靠、易用于一体的功率MOSFET，适用于对性能和稳定性要求较高的现代电力电子系统。

应用

G50N10广泛应用于各类中高功率电力电子设备中。在开关电源（SMPS）领域，它常被用作主开关管或同步整流管，适用于AC-DC适配器、服务器电源和通信电源模块，凭借其低Rds(on)和高开关速度，可显著提升能效并满足能源之星等能效标准。
　　在DC-DC转换器中，尤其是在降压（Buck）和升压（Boost）拓扑中，G50N10作为功率开关元件，能够高效处理数十安培级别的电流，适用于车载电源、工业电源模块和FPGA供电系统。
　　在电机驱动方面，该器件可用于直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）的H桥驱动电路中，提供快速响应和低损耗的开关控制，广泛应用于电动工具、家用电器和自动化设备中。
　　此外，G50N10也适用于LED照明驱动电源，特别是在大功率恒流驱动方案中，能够实现高效率和高可靠性，延长灯具使用寿命。
　　在新能源领域，如太阳能微逆变器和储能系统中，G50N10可用于功率变换级，配合其他器件完成能量的高效转换与管理。其宽泛的工作温度范围和高可靠性也使其适用于部分汽车电子应用，如车载充电机（OBC）和辅助电源系统。总体而言，G50N10凭借其优异的电气特性和稳健的设计，已成为多种高要求功率应用中的理想选择。