型号：G4PC50W
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：超快恢复整流二极管
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：500V
　　最大直流阻断电压 VR：500V
　　平均整流电流 IF(AV)：4A（在单相半波，60Hz，TA=75°C条件下）
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：120A（单个半正弦波，8.3ms，TA=75°C）
　　正向电压降 VF：典型值1.45V，最大值1.7V（在IF=4A, TJ=25°C时）
　　反向恢复时间 trr：典型值35ns（在IF=3.0A, dI/dt=100A/μs, VR=50V测试条件下）
　　最大反向漏电流 IR：250μA（在VR=500V, TJ=25°C时）；5mA（在VR=500V, TJ=150°C时）
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AC（通孔型）
　　引脚数：2（K和A）
　　极性：单二极管

G4PC50W的核心特性之一是其卓越的反向恢复性能，反向恢复时间（trr）典型值仅为35ns，这使得它在高频开关电路中表现出色。在现代开关电源和DC-DC变换器中，二极管的反向恢复行为直接影响开关器件（如MOSFET或IGBT）的开关损耗和电磁干扰（EMI）水平。G4PC50W由于其极短的trr，能够显著减少反向恢复电荷（Qrr），从而降低开关节点的电压尖峰和振铃现象，提升系统的电磁兼容性并延长主开关器件的寿命。此外，快速的恢复特性也有助于减少无功功率损耗，提高整体电源转换效率，尤其是在硬开关拓扑如反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器中。
　　另一个关键特性是其低正向导通压降（VF）。在IF=4A、TJ=25°C的测试条件下，VF的最大值为1.7V，典型值为1.45V。较低的VF意味着在导通状态下产生的导通损耗（P = VF × IF）更小，有助于降低器件自身发热，提升系统热管理效率。这对于长时间运行的电源设备尤为重要，能够减少散热器尺寸或提升功率密度。同时，该器件具备高达120A的非重复浪涌电流能力，表明其在面对电网波动、启动冲击或雷击浪涌等异常工况时具有较强的耐受能力，增强了系统的鲁棒性和可靠性。
　　G4PC50W采用TO-220封装，该封装具有较大的金属背板，便于与散热器直接接触，实现高效的热传导。其热阻（RθJC）典型值约为1.5°C/W，确保在高负载条件下结温不会迅速上升至临界值。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于极端环境下的工业和户外应用。该二极管还具备优良的反向电压稳定性，在高温下反向漏电流控制良好，即使在150°C时也仅为5mA，避免了因漏电流增大而导致的额外功耗或热失控风险。最后，作为STMicroelectronics的产品，G4PC50W经过严格的质量认证和长期可靠性测试，具备高良率和一致性，适合大批量自动化生产使用。

G4PC50W广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，常用于AC-DC整流级之后的次级侧整流或PFC（功率因数校正）电路中的升压二极管，其快速恢复特性可有效配合MOSFET或IGBT实现高效能量转换。在光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的防反接保护或MPPT（最大功率点跟踪）电路中的整流元件，其高耐压和低损耗特性有助于提升太阳能系统的整体发电效率。此外，在不间断电源（UPS）系统中，G4PC50W可作为逆变桥臂的续流二极管，吸收感性负载产生的反电动势，保护主开关器件。
　　在电机驱动和变频器应用中，G4PC50W常被用作IGBT模块外围的钳位二极管或制动单元中的能量释放路径，其快速响应能力可有效抑制电压过冲，防止设备损坏。同时，该器件也适用于电焊机、激光电源、医疗设备电源等对稳定性和安全性要求较高的工业设备中。由于其TO-220封装易于安装和维护，因此在中小功率模块化设计中具有较高的实用价值。在消费类高功率适配器（如服务器电源、LED照明驱动）中，G4PC50W也可作为输出整流二极管使用，尤其适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。总之，凡是需要高耐压、大电流、快恢复特性的整流场合，G4PC50W都是一个可靠且高效的选择。

STTH4R05U
　　BYV27E-500
　　ES5D50B
　　FUF4N50