类型：MOS FET输出光电耦合器
　　通道数：1
　　封装形式：TSON-5（表面贴装）
　　最大负载电压（VDSON）：60 V
　　最大连续通态电流（IDON）：1.2 A
　　导通电阻（RON）：典型值80 mΩ，最大值120 mΩ
　　输入正向电流（IF）：最大50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出电容（Cout）：典型值12 pF
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　响应时间（Ton/Toff）：典型值0.5 ms / 0.5 ms
　　LED触发类型：直接驱动型（无需外接限流电阻即可使用3.3V或5V逻辑直接驱动）

G3VM-41GR5T RS具备多项优异的技术特性，使其在同类光耦继电器中脱颖而出。首先，其超低导通电阻是该器件的核心优势之一，典型值仅为80 mΩ，最大不超过120 mΩ，这意味着在通过较大电流时产生的压降和功耗极小，显著提升了系统的能效并减少了散热需求。这一特性尤其适用于电池供电设备或对热管理要求严格的高密度电路板设计。其次，该器件采用TSON-5超小型无引线封装，尺寸仅为2.0 mm × 2.5 mm × 0.75 mm，极大节省了PCB空间，非常适合便携式设备和高集成度模块的应用场景。
　　另一个关键特性是其输入侧的高灵敏度LED驱动设计。G3VM-41GR5T RS可以在较低的输入电流下实现可靠导通，通常只需5 mA至10 mA即可触发输出MOSFET，支持与3.3V或5V逻辑电平直接接口，无需额外的驱动电路或限流电阻，简化了系统设计并降低了整体成本。同时，该器件具备出色的电气隔离性能，输入与输出之间的隔离电压高达5000 Vrms，能够有效防止高压窜入控制侧，保障操作人员和敏感控制电路的安全，满足工业级和医疗设备的安全标准。
　　此外，该光耦继电器具有极低的输出电容（典型值12 pF），这使得它在高速开关应用中表现出色，能够快速响应控制信号，减少信号延迟，适用于精密测量仪器和高频信号切换场合。其固态结构无机械磨损，寿命远超传统电磁继电器，可实现数十亿次以上的开关操作而性能不衰减。器件还具备良好的抗振动和抗冲击能力，适用于恶劣工业环境。最后，G3VM-41GR5T RS符合RoHS和无卤素要求，支持环保生产工艺，适用于全球市场的合规性需求。

G3VM-41GR5T RS广泛应用于多种需要高可靠性、小尺寸和高效能的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块、传感器信号切换、小型执行器控制等场合，其无触点设计避免了电弧干扰，提高了系统稳定性。在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统和示波器前端，该器件可用于多路信号路由和通道选择，得益于其低导通电阻和低电容特性，能够保持信号完整性，减少失真。
　　在医疗电子设备中，例如病人监护仪、便携式诊断设备和实验室分析仪器，G3VM-41GR5T RS因其高隔离电压和低EMI特性，成为安全可靠的信号和电源切换元件。在通信系统中，可用于基站模块、光纤收发器和网络交换设备中的电源管理与状态切换，支持高速响应和长期稳定运行。
　　此外，在消费类电子产品如智能家居控制器、智能电表、安防系统和工业物联网网关中，该器件用于电池管理、负载开关和电源路径控制，帮助实现节能和智能化管理。其表面贴装封装也便于自动化SMT生产，提高制造效率。由于其宽温工作范围（-40°C至+110°C），即使在高温或低温环境下也能稳定工作，适用于户外或工业现场部署的设备。

G3VM-41GR5