时间：2025/12/27 1:51:28
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G3VM-21DRTR是欧姆龙（OMRON）公司生产的一款MOSFET输出型光耦继电器，属于其G3VM系列中的表面贴装型器件。该器件采用先进的光控MOSFET技术，能够在输入侧施加电流时通过内部发光二极管激发光敏MOSFET结构，从而在输出端实现无触点的开关控制。与传统电磁继电器相比，G3VM-21DRTR具有体积小、响应速度快、寿命长、抗振动、无机械磨损和低噪声等优点，广泛应用于需要高可靠性和紧凑设计的现代电子系统中。该器件封装为小型四引脚SSOP（Shrink Small Outline Package），适合自动化贴片生产工艺，适用于空间受限的高密度PCB布局。G3VM-21DRTR主要用于直流负载的开关控制，具备单通道常开（NO）功能，输出端可双向导通，支持交流或直流信号切换，因此在测试设备、通信系统、工业自动化和医疗仪器等领域有广泛应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适应全球环保要求。
型号：G3VM-21DRTR
制造商：OMRON（欧姆龙）
器件类型：MOSFET输出光耦继电器
通道数：1（单通道）
封装类型：SSOP-4（表面贴装）
输入正向电压（VF）：1.25V（典型值，IF=10mA）
输入反向电压（VR）：5V
输入正向电流（IF）：50mA（最大值）
输出导通电阻（RON）：9Ω（最大值，IF=5mA，VOUT=5V）
输出耐压（VOFF）：60V（最大值）
输出连续通态电流（IO）：350mA（最大值）
输出峰值电流（IOP）：700mA（1秒脉冲）
隔离电压（VISOL）：5000Vrms（1分钟，AC）
工作温度范围：-20°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +125°C
回路电容：1.5pF（典型值）
开启时间（tON）：1ms（典型值）
关断时间（tOFF）：0.5ms（典型值）
G3VM-21DRTR的核心特性之一是其基于光控MOSFET的输出结构，这种结构通过输入侧的红外LED照射到光敏栅极区域，驱动一对互补型MOSFET形成导电通道，从而实现负载的接通与断开。由于没有机械触点，该器件避免了传统继电器常见的弹跳、电弧和接触氧化等问题，显著提升了系统的长期稳定性和可靠性。其输出MOSFET结构支持双向导通，允许电流在任意方向流动，因此不仅适用于直流开关，也可用于小信号交流切换，增强了应用灵活性。
该器件的导通电阻较低，典型值小于9Ω，有助于减少导通状态下的功率损耗和温升，提高能效。同时，其快速的开关响应时间（开启约1ms，关断约0.5ms）使其适用于需要高频切换的应用场景，如自动测试设备中的信号路由或多路复用系统。G3VM-21DRTR还具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的隔离电压，有效防止高压干扰窜入控制电路，保障系统安全。
在环境适应性方面，该器件可在-20°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，满足大多数工业级应用需求。其SSOP-4封装尺寸小巧，便于集成于高密度PCB设计中，尤其适合便携式设备和空间受限的应用。此外，器件内部采用全固态结构，抗震性强，不易受外部振动或冲击影响，适用于恶劣工业环境。G3VM-21DRTR还具有低输入驱动电流要求，通常5mA即可实现可靠触发，兼容TTL或CMOS逻辑电平，简化了与微控制器或其他数字电路的接口设计。
G3VM-21DRTR广泛应用于需要高可靠性、小尺寸和快速响应的电子控制系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块、传感器信号切换和执行器控制，替代传统电磁继电器以提升系统寿命和稳定性。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，该器件可用于精确切换模拟或数字信号路径，得益于其低导通电阻和低回路电容，能够保持信号完整性，减少失真。
在通信设备中，G3VM-21DRTR可用于音频或数据线路的信号切换，尤其是在需要电气隔离的场合，如电话交换系统或网络接口单元。医疗电子设备也常采用此类光耦继电器，用于患者连接设备中的信号隔离与安全保护，确保操作人员和患者免受电击风险。此外，在消费类电子产品如智能仪表、安防系统和智能家居控制模块中，该器件因其无噪音运行和长寿命而受到青睐。
由于其表面贴装封装形式，G3VM-21DRTR特别适合自动化生产流程，提高了制造效率和产品一致性。在电池供电设备或低功耗系统中，其低驱动电流和静态功耗优势明显，有助于延长电池使用寿命。总体而言，该器件适用于任何需要安全隔离、静音操作和高耐久性的直流开关应用场合。
G3VM-61GLY
