输入类型：LED
　　额定输入电流：5mA
　　正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　反向电压（VR）：5V
　　输出导通电阻（RON）：0.1Ω（最大值）
　　负载电压（最大）：60V
　　连续负载电流（最大）：2A
　　隔离电压（输入-输出）：5000Vrms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：MSOP-4
　　尺寸：2.8×6.0×1.1mm（典型）

G3VM-XN-S的核心特性在于其卓越的电气性能和超小型封装的完美结合。该器件内部采用双MOS FET结构作为输出开关元件，能够实现极低的导通电阻（RON），典型值低于0.1Ω，这显著降低了在高电流应用中的功耗和发热，提高了系统效率。低RON特性使其非常适合用于模拟信号切换、电池供电设备的电源管理以及需要低电压损耗的精密电路中。同时，由于MOS FET为电压控制型器件，其驱动功率极低，仅需5mA的输入电流即可完全驱动内部光电二极管，从而实现对输出端的控制，这使得它可以直接由微控制器或逻辑电路驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计并节省了PCB空间。
　　另一个关键特性是其优异的电气隔离能力。G3VM-XN-S提供高达5000Vrms的输入-输出隔离电压，确保了控制电路与负载电路之间的安全隔离，有效防止高压窜入低压控制侧，保护操作人员和敏感电子元件。这种高隔离性能使其广泛应用于医疗设备、工业控制系统等对安全性要求极高的场合。此外，该器件无机械触点，因此不存在触点弹跳、电弧、磨损等问题，具有极长的使用寿命和极高的可靠性，尤其适合需要频繁开关操作的应用。
　　G3VM-XN-S采用MSOP-4超小型表面贴装封装，尺寸仅为2.8×6.0×1.1mm，极大地节省了印刷电路板（PCB）的空间，满足现代电子产品向小型化、轻量化发展的趋势。尽管体积小巧，但其封装设计保证了良好的散热性能和机械强度。该器件还具有快速的开关响应时间，通常在几微秒内完成导通或关断，远快于传统电磁继电器，这对于高速数据采集、自动测试设备（ATE）和通信信号切换至关重要。最后，该产品无铅、无卤素，符合RoHS和REACH环保标准，适用于全球市场的绿色电子产品设计。

G3VM-XN-S广泛应用于各种需要高可靠性、小尺寸和高效能开关的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块、传感器接口和过程控制设备中，作为数字或模拟信号的切换元件。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，其快速开关和低导通电阻特性确保了信号的高保真传输和系统的高精度。在通信设备中，可用于音频/视频信号路由、电话交换系统和网络设备中的信号路径选择。此外，在医疗电子设备中，如病人监护仪、诊断设备和便携式医疗仪器，其高隔离电压和长寿命特性提供了必要的安全性和可靠性保障。消费类电子产品，特别是高端音频设备和便携式仪器，也利用其低噪声、无触点的优点来提升用户体验。最后，在电池管理系统（BMS）和便携式设备的电源切换中，其低功耗和高效率特性有助于延长电池续航时间。

G3VM-61X, G3VM-62X, G3VM-63X