类型：MOS FET继电器（光继电器）
　　输入-输出隔离电压：5000 Vrms
　　最大负载电压（Vmax）：60 V
　　连续通态电流（Ion）：1.2 A
　　导通电阻（RON）：典型值40 mΩ，最大值60 mΩ
　　输入正向电流（IF）：5 mA（典型驱动条件）
　　反向输入电压（VR）：5 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　接通时间（ton）：典型值0.2 ms
　　关断时间（toff）：典型值0.2 ms
　　绝缘电阻：最小1000 MΩ
　　容许功耗：200 mW（环境温度25°C）
　　封装形式：SOP4（小型四引脚表面贴装）

G3VM-W-S的最大特点之一是其超低导通电阻，典型值仅为40毫欧，这使得它在处理较大电流时能够有效减少功率损耗和发热，特别适用于电池供电或能效敏感的应用场景。这种低RON特性也意味着它可以替代传统的机械继电器或更高成本的功率MOSFET驱动电路，简化系统设计并提高整体效率。此外，该器件的高输入-输出隔离电压达到5000 Vrms，提供了卓越的安全性和抗干扰能力，能够在高压环境中安全运行，防止瞬态电压对控制侧造成损害。
　　G3VM-W-S采用SOP4小型化封装，尺寸紧凑，便于在高密度印刷电路板上布局，并支持自动贴片工艺，提升了生产效率和一致性。其无触点结构避免了传统继电器常见的弹跳、粘连和磨损问题，极大延长了使用寿命，通常可达数十亿次开关操作。同时，由于没有机械运动部件，该器件几乎无声运行，且不受外部振动或冲击的影响，非常适合用于恶劣工业环境或移动设备中。
　　另一个关键特性是其低驱动电流需求，仅需5 mA即可可靠触发，可以直接由微控制器I/O口驱动，无需额外的驱动电路或缓冲器，降低了系统复杂度和元件成本。LED输入端具有良好的正向电压匹配性，确保多通道并联使用时的一致性。此外，器件具备快速的开关响应时间（约0.2 ms），适用于需要高频切换的应用场合，如数据采集系统的多路复用控制、自动测试设备中的信号路由切换等。
　　该光继电器还表现出优异的热稳定性，在宽温度范围内（-40°C至+85°C）仍能保持稳定的电气性能，适用于极端环境下的长期运行。其输出端漏电流极低，通常小于1 μA，有助于提升模拟信号路径的精度和信噪比，尤其适合用于精密测量仪器和传感器接口电路中。整体而言，G3VM-W-S是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的现代固态继电器解决方案。

G3VM-W-S广泛应用于多个高科技和工业领域。在工业自动化系统中，常用于PLC模块、I/O扩展单元和远程控制终端中，作为数字信号或小功率负载的开关元件，实现对外部执行机构的精确控制。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据记录仪或多路数据采集系统，G3VM-W-S因其低导通电阻和高重复性，被用于构建高性能的信号切换矩阵，确保测试信号的完整性和准确性。
　　在通信设备中，该器件可用于电话交换系统、网络路由器或基站控制电路中，实现音频或控制信号的隔离传输。由于其无电磁干扰特性，不会影响周边敏感射频电路的工作，因此特别适合高频和高速信号路径中的隔离应用。
　　医疗电子设备也是G3VM-W-S的重要应用领域之一，例如病人监护仪、便携式诊断设备和实验室分析仪器。在这些应用中，电气隔离至关重要，以保护患者和操作人员免受电击风险，同时保证信号采集的纯净度。G3VM-W-S的高隔离电压和低漏电流特性正好满足这类严苛的安全标准。
　　此外，该器件还可用于消费类电子产品中的电源管理、电池切换电路或音频信号切换，特别是在追求小型化和长寿命的设计中表现突出。在汽车电子领域，尽管不是车规级型号，但在非动力域的辅助控制系统中也可作为原型验证或低电压信号切换使用。总之，G3VM-W-S凭借其出色的综合性能，已成为众多电子系统中理想的固态开关选择。

G3VM-61VY,G3VM-61VX,G3VM-41VY