类型：MOS FET继电器（无触点继电器）
　　输入侧正向电流（IF）：典型值5mA（最大允许值一般为10-50mA，具体取决于工作条件）
　　输入侧反向电压（VR）：5V
　　LED正向电压（VF）：典型1.2V（@5mA）
　　输出导通电阻（RON）：典型值1Ω至2Ω（根据不同型号略有差异）
　　负载电压（VOFF）：最高可达60V（DC）
　　连续负载电流（IO）：最高可达2A（常温下）
　　断态输出电容：低至1pF左右
　　隔离电压（Viso）：通常为5000Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间：导通时间（ton）和关断时间（toff）均在微秒级别（如1ms以下）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C 或 +100°C（依据具体型号）
　　封装形式：TSON-4或类似小型表面贴装封装
　　引脚数：4引脚
　　绝缘材料：满足UL、CSA、VDE等国际安全标准

G3VM-V-S系列MOS FET继电器的核心优势在于其卓越的电气性能和长期可靠性。首先，它采用了先进的光电耦合驱动技术，通过内置的高效率发光二极管激发光敏MOSFET结构，从而实现输入控制信号与输出负载电路之间的完全电气隔离。这种隔离机制不仅确保了系统的安全性，还能有效抑制噪声干扰，提升抗电磁干扰（EMI）能力，适用于对信号完整性要求较高的精密电子系统。其次，该器件具有极低的导通电阻（RON），典型值仅为1Ω至2Ω，这意味着在通过较大负载电流时产生的功率损耗非常小，有助于减少发热并提高能源利用效率。同时，低RON也保证了输出电压的稳定性，避免因压降过大而影响后级电路正常工作。
　　另一个显著特点是其超长使用寿命。由于没有机械触点，不存在物理磨损、接触弹跳或电弧放电等问题，因此可实现数十亿次以上的开关操作，远超传统电磁继电器的百万次寿命极限。这对于需要频繁切换操作的自动化测试设备、数据采集系统或工业PLC模块而言至关重要。此外，G3VM-V-S具备极快的响应速度，开关时间通常在毫秒甚至微秒级，能够满足高速信号切换需求，例如在自动测试设备（ATE）中进行通道切换或在通信系统中实现信号路由。
　　该器件还具备良好的环境适应性，支持宽温工作范围（-40°C至+85°C以上），可在恶劣工业环境中稳定运行。其小型化表面贴装封装（如TSON-4）极大节省了PCB空间，便于实现高密度电路设计，并兼容现代自动化贴片生产工艺，有利于降低制造成本。此外，产品符合RoHS环保指令要求，不含铅等有害物质，适用于全球市场的电子产品设计。总体而言，G3VM-V-S是一款集高性能、高可靠性和小型化于一体的先进固态继电器解决方案。

G3VM-V-S MOS FET继电器广泛应用于多个高科技和工业领域。在工业自动化控制系统中，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块中作为信号切换元件，用于控制传感器、执行器或小型电机的通断。由于其无触点特性，特别适合频繁启停的场合，如流水线控制、机器人动作控制等。在测试与测量设备中，例如自动测试设备（ATE）、数据采集系统（DAQ）或多路复用器中，G3VM-V-S因其低导通电阻、低泄漏电流和快速响应特性，成为理想的模拟或数字信号切换开关，能够精确地切换多路信号而不引入明显失真或延迟。
　　在通信设备中，该继电器可用于射频或音频信号路径的切换，得益于其低电容和高隔离性能，能有效减少信号串扰和衰减，保障通信质量。医疗电子设备也是其重要应用领域之一，如病人监护仪、诊断设备和便携式医疗仪器，这些设备对安全性和可靠性要求极高，G3VM-V-S提供的高隔离电压和稳定性能正好满足此类需求。此外，在楼宇自动化、安防系统、智能仪表和电池管理系统（BMS）中，该器件也被用于电源管理、负载控制和信号隔离等功能模块。其小型封装还使其适用于空间受限的便携式设备和嵌入式系统，进一步拓展了其应用场景。

G3VM-61VY\G3VM-62VY\G3VM-403A