类型：MOS FET继电器（单侧构建）
　　输入正向电流（IF）：最大60mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出耐压（VOFF）：60V
　　连续通态电流（ION）：1.2A（最大值）
　　导通电阻（RON）：典型值45mΩ，最大值65mΩ
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSON4（超薄小外形封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　绝缘电压：5000Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（开启/关断）：典型值0.3ms / 0.2ms
　　LED触发电流（IF(on)）：通常为3mA即可启动输出导通

G3VM-SY系列的核心优势之一在于其超低导通电阻特性，典型值仅为45mΩ，这使得它在处理较大负载电流时能够显著降低功率损耗和温升，从而提升整体系统效率并减少散热需求。这种低RON表现得益于内部采用的先进垂直功率MOSFET结构和优化的芯片工艺，在保持微小封装的同时实现了优异的电流传导能力。此外，该器件支持高达1.2A的连续通态电流，使其不仅适用于信号级切换，也可用于驱动小型电磁阀、LED阵列或电池供电回路等中等功率负载。
　　另一个关键特性是其卓越的电气隔离性能。G3VM-SY提供高达5000Vrms的输入-输出绝缘电压，确保了控制侧与被控侧之间的高度安全隔离，有效防止高压窜入低压控制电路造成损坏，这一特性在工业控制系统和医疗设备中尤为重要。同时，由于采用光耦驱动机制，输入端仅需极小的驱动电流（典型3mA即可触发），可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的驱动电路，简化了设计复杂度并节省PCB空间。
　　响应速度快也是G3VM-SY的一大亮点，开启时间典型值为0.3ms，关断时间为0.2ms，远快于传统电磁继电器的毫秒级甚至数十毫秒级响应，非常适合需要快速切换的应用场景，如自动测试设备中的通道选择或多路复用系统。此外，器件无机械触点，避免了接触弹跳、氧化和磨损等问题，具备极高的使用寿命和稳定性，尤其适合无人值守或难以维护的远程设备。
　　封装方面，TSON4是一种超薄、无引线的小型化表面贴装封装，极大地节省了PCB布局空间，适应当前电子产品向轻薄短小发展的趋势。该封装还具有良好的热传导性能，有助于将内部产生的热量及时散发出去，进一步提高长期运行的可靠性。最后，G3VM-SY符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代绿色电子产品制造的要求。

G3VM-SY系列MOSFET继电器广泛应用于多种需要高效、可靠且小型化开关方案的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块中的I/O信号切换、传感器接口隔离以及小型执行器的控制回路中，凭借其高耐压和强抗干扰能力保障系统稳定运行。在通信设备中，可用于多路数据通道的选择与切换，例如在路由器、交换机或基站单元中实现模拟或数字信号路径的动态配置。
　　在医疗电子设备中，由于其高绝缘性和无噪声开关特性，G3VM-SY被用于病人监护仪、便携式诊断设备和实验室分析仪器中，确保患者安全和测量精度不受开关动作影响。在测试与测量仪器中，如自动测试设备（ATE）或多通道数据采集系统，该器件可用于快速切换不同的待测信号源，配合高速ADC实现高效的批量检测流程。
　　消费类电子产品中，G3VM-SY可用于电池管理系统（BMS）中的充放电路径切换、电源多路复用器设计或高端音频设备中的静音控制电路。此外，在汽车电子领域，虽然主要面向工业级温度范围，但在某些非动力总成的车载控制模块中也可用于低电压信号切换应用，如信息娱乐系统或车身控制单元中的逻辑电平隔离。
　　由于其表面贴装封装和回流焊兼容性，G3VM-SY非常适合自动化SMT生产线，提升了整机制造的效率和一致性。总体而言，任何需要替代传统电磁继电器以获得更长寿命、更小体积和更高性能的应用场景，都是G3VM-SY的理想选择。

G3VM-61VY\G3VM-62VY\G3VM-64VY