类型：MOS FET输出光电耦合器
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：典型值1.2V，最大值1.5V（IF=5mA）
　　输入反向电压：5V
　　输入电流（IF）：最大值50mA
　　输出导通电阻（RON）：最大值350mΩ（典型值250mΩ）
　　输出漏电流（ILEAK）：最大值1μA（VDS=60V）
　　输出耐压（VDS）：60V
　　隔离电压（VISOL）：5000Vrms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：SMT小型封装（如USOP）
　　回流焊温度：符合JEDEC J-STD-020标准
　　响应时间（Turn-on / Turn-off）：典型值0.3ms / 0.2ms

G3VM-SW的核心优势在于其采用的MOSFET输出结构与光电驱动机制相结合，实现了高效、可靠的固态开关功能。该器件的输入端为一个高效率的红外发光二极管，当施加适当的正向电流时，发出的光被内部的光敏MOSFET接收并触发其导通。这种光控机制确保了输入与输出之间完全的电气隔离，有效防止噪声干扰和高压窜入控制系统，提升了整体安全性。其输出端由一对背对背连接的MOSFET构成，能够在交流或直流负载下实现双向导通，支持交流信号和直流信号的切换控制，极大地扩展了应用场景。
　　该器件具有极低的导通电阻（RON），典型值仅为250mΩ，最大不超过350mΩ，这意味着在大电流通过时产生的压降和功耗非常小，有助于提高系统能效并减少散热需求。同时，极低的漏电流（≤1μA）保证了在关断状态下负载几乎完全断开，避免了微弱电流引起的误动作或能量损耗，特别适用于精密模拟信号切换或低功耗待机电路。
　　G3VM-SW还具备出色的抗冲击和振动性能，得益于其全固态结构和表面贴装封装设计，非常适合用于移动设备或工业现场等恶劣环境中。响应速度快，开通和关断时间均在毫秒以内，满足高频信号切换的需求。此外，该器件无机械触点，因此不存在接触弹跳、氧化或磨损问题，寿命远超传统电磁继电器，可达数十万次以上操作周期。
　　在EMI/EMC方面，由于没有电弧和触点火花，G3VM-SW运行过程中不会产生电磁干扰，也不会受到外部磁场影响，适合在高密度布线和敏感信号处理电路中使用。其5000Vrms的隔离电压进一步增强了系统的安全等级，可用于医疗设备、测试仪器等对绝缘要求严格的领域。整体而言，G3VM-SW是一款集小型化、高性能、高可靠性和长寿命于一体的先进光耦继电器解决方案。

G3VM-SW广泛应用于多种需要安全隔离与精确控制的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的信号切换、传感器接口隔离以及小型执行器的驱动控制，尤其适合替代传统电磁继电器以提升系统稳定性和维护周期。在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统和多路复用器，G3VM-SW可用于高精度模拟信号路径的选择与切换，因其低导通电阻和低漏电流特性，可最大限度减少信号失真和串扰，确保测量结果的准确性。
　　在通信设备中，该器件可用于线路切换、音频信号路由或电源管理单元中的负载开关，其快速响应能力和无噪声切换特性有助于提升系统响应速度和信号质量。在医疗电子设备中，例如病人监护仪、便携式诊断设备等，G3VM-SW凭借其高隔离电压和低漏电特性，能够满足严格的电气安全标准（如IEC 60601），保障患者和操作人员的安全。
　　此外，G3VM-SW也适用于消费类电子产品，如智能家居控制模块、安防系统、楼宇自动化中的灯光或窗帘控制单元，尤其是在采用PCB表面贴装工艺的小型化设计中表现出色。在电池供电的便携式设备中，其低驱动电流需求（仅需几毫安即可驱动LED）有助于延长电池续航时间。总之，凡是对体积、可靠性、寿命和电气性能有较高要求的应用场景，G3VM-SW都是理想的固态开关选择。

G3VM-61VY,G3VM-61GL,G3VM-41GR2