类型：MOS FET输出型光耦继电器
　　通道数：1通道
　　封装形式：SMD（表面贴装）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出漏源电压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（ID(on)）：2 A（最大）
　　峰值通态电流（IDP）：6 A
　　导通电阻（RON）：典型值80 mΩ，最大120 mΩ
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　响应时间（Turn-ON）：0.5 ms（典型）
　　响应时间（Turn-OFF）：0.5 ms（典型）
　　绝缘电阻：最小10^9 Ω
　　输入LED波长：约850 nm（红外）
　　输出电容（Cout）：典型值110 pF

G3VM-SW-S的核心特性之一是其采用MOS FET作为输出开关元件，这使得它在导通状态下具有非常低的导通电阻（典型值仅为80 mΩ），从而显著降低功耗和发热，提高整体能效。这种低RON特性特别适合用于大电流或低电压信号的切换，例如在电池管理系统、电源分配电路或精密传感器信号路由中。由于MOSFET的电压驱动特性，该器件对驱动电路的要求较低，仅需微弱的LED驱动电流即可实现完全导通，兼容TTL或CMOS逻辑电平输出，极大简化了接口设计。
　　另一个重要特性是其电气隔离能力。G3VM-SW-S提供高达5000 Vrms的输入-输出隔离电压，确保控制侧与负载侧之间实现高度安全的电气隔离，有效防止高压窜入低压控制电路，保护敏感元器件和操作人员。这一特性使其在工业自动化、医疗设备和电力监控系统中尤为重要。同时，器件内部采用透明绝缘材料封装，保证光传输效率的同时也增强了耐压和防潮性能。
　　G3VM-SW-S还具备优异的开关速度和长寿命优势。由于没有机械运动部件，其机械寿命可达数十亿次以上，远超传统电磁继电器。开关响应时间在毫秒级别，适用于中高速信号切换应用。此外，该器件支持双向导通，输出端可承受正负极性电压，适用于交流负载控制或双极性信号路径切换。其紧凑的SMD封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。温度适应性强，可在-30°C至+85°C范围内稳定工作，满足大多数工业和消费类应用需求。

G3VM-SW-S广泛应用于需要小型化、高可靠性和电气隔离的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块、信号隔离单元、传感器接口切换以及小型执行器控制电路中，实现对模拟或数字信号的安全隔离与切换。在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统和多路复用器，该器件可用于构建高精度、低噪声的信号路径选择网络，确保测量信号不受干扰且损耗最小。
　　在医疗电子设备中，G3VM-SW-S因其高隔离电压和无触点特性，被用于病人监护仪、诊断设备和便携式医疗仪器中的电源管理或信号隔离模块，保障患者安全并符合医疗电气安全标准。在通信系统中，可用于基站模块、光纤收发器或网络交换设备中的电源切换或状态指示控制，提供稳定可靠的隔离驱动功能。
　　此外，该器件也适用于办公自动化设备，如打印机、扫描仪和复印机中的电机驱动或加热元件控制；在消费类电子产品中，可用于智能家电、音频切换器或电池供电设备中的电源管理单元。由于其低功耗和小尺寸特点，特别适合用于便携式和电池供电系统，延长设备续航时间。其固态结构还使其适用于振动频繁或环境恶劣的场合，如车载电子、轨道交通控制系统和航空航天电子设备中，提供持久稳定的开关性能。

G3VM-61VY,G3VM-62VY,G3VM-61GL