G3VM-S1-S 时间：2025/12/27 0:35:24 阅读：19

G3VM-S1-S是欧姆龙（OMRON）公司生产的一款超小型MOS FET继电器，属于其G3VM系列光耦产品。该器件采用先进的光控技术，通过输入端的发光二极管（LED）触发输出端的MOSFET功率开关，实现输入与输出之间的电气隔离。G3VM-S1-S采用了表面贴装技术（SMT）的超小型封装，尺寸仅为2.0 mm × 2.5 mm × 1.85 mm，适用于对空间要求极为严格的高密度电路板设计。该器件无机械触点，因此具备长寿命、高可靠性、低噪声和快速响应等优点，广泛应用于自动化控制、通信设备、医疗仪器、测试测量系统以及工业电子设备中。
　　G3VM-S1-S特别适合替代传统电磁继电器（EMR）和小型信号继电器，在需要频繁切换、抗震性强或对电磁干扰敏感的应用场景中表现优异。由于其固态结构，不存在触点磨损、弹跳或电弧问题，从而提升了系统的整体稳定性。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。

参数

类型：MOS FET继电器（无触点）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值150 mΩ，最大值220 mΩ
　　输出漏电流（ILEAK）：最大值1 μA
　　负载电压（VLOAD）：最大值60 V
　　负载电流（ILOAD）：连续340 mA，脉冲1 A
　　隔离电压（VIORM）：5000 Vrms
　　响应时间（ON）：典型值0.5 ms
　　响应时间（OFF）：典型值0.5 ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SSLP-4（超小型表面贴装）

特性

G3VM-S1-S的核心优势在于其基于光控MOSFET的固态开关结构，使其在性能和可靠性方面显著优于传统机械继电器。首先，该器件采用双MOSFET结构作为输出开关元件，能够实现双向导通能力，适用于交流和直流负载控制。这种结构确保了在导通状态下具有极低的导通电阻（典型值150 mΩ），从而降低了功耗和温升，提高了能效。同时，低RON也意味着在相同电流下压降更小，有助于提升系统效率，尤其适用于电池供电或低电压应用场景。
　　其次，G3VM-S1-S具备出色的电气隔离性能，其输入与输出之间可承受高达5000 Vrms的隔离电压，有效防止高压窜入控制侧，保障系统和操作人员的安全。这一特性使其非常适合用于医疗设备、工业PLC输入/输出模块以及高绝缘要求的测试仪器中。此外，由于没有机械运动部件，该继电器不会产生电弧、触点氧化或机械疲劳，因此拥有几乎无限的电气寿命，即使在高频开关应用中也能保持稳定性能。
　　再次，该器件的超小型SSLP-4封装不仅节省PCB空间，还优化了热传导路径，提高了散热效率。其表面贴装设计便于自动化贴片生产，提高了组装效率和一致性。响应速度快（典型值0.5 ms），远快于传统电磁继电器的毫秒级甚至更长的动作时间，使其适用于高速数据采集系统或需要精确时序控制的应用。输入驱动灵活，兼容TTL和CMOS逻辑电平，可通过微控制器直接驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。
　　最后，G3VM-S1-S具有良好的抗振动和抗冲击能力，适用于移动设备、车载电子或工业现场等恶劣环境。其低电磁干扰（EMI）特性避免了对周边电路的干扰，提升了系统的电磁兼容性（EMC）。综合来看，G3VM-S1-S是一款高性能、高可靠性的固态继电器解决方案，适用于多种精密电子控制系统。

应用

G3VM-S1-S广泛应用于需要小型化、高可靠性和长寿命开关功能的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块中作为信号切换元件，实现传感器信号或执行器控制的隔离传输。由于其高隔离电压和抗干扰能力，也被用于工业通信接口、RS-485总线隔离和现场总线设备中，提高系统的抗噪能力和安全性。
　　在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统（DAQ）和多路复用器，G3VM-S1-S因其低导通电阻和快速响应特性，能够实现高精度、高速度的信号路由切换，确保测量结果的准确性和重复性。在医疗电子设备中，例如病人监护仪、便携式诊断设备和实验室分析仪器，该器件提供安全的电气隔离，满足医疗设备对绝缘和可靠性的严格要求。
　　此外，G3VM-S1-S也适用于通信设备中的信号切换、音频/视频路由、电源管理模块以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制。在消费类电子产品中，如智能家居控制模块、安防系统和微型电源开关电路中，其小型化和低功耗特性极具吸引力。随着电子产品向轻薄化、集成化发展，G3VM-S1-S成为替代传统继电器的理想选择。