G3VM-81UR1 时间：2025/12/27 1:02:20 阅读：9

G3VM-81UR1是一款由欧姆龙（OMRON）生产的MOS FET继电器，属于其先进的光耦继电器产品线。该器件采用先进的光电耦合技术，将输入侧的发光二极管（LED）与输出侧的MOSFET功率开关集成在一个紧凑的封装中，实现了电气隔离控制。G3VM-81UR1特别设计用于高密度、低功耗和高可靠性的应用场景，适用于需要无触点切换的小信号或中等功率负载控制。该继电器具备单极单掷常开（SPST-NO）结构，能够在输入端施加适当的电流驱动LED发光时，通过内部光敏元件激活输出端的MOSFET导通，从而实现负载电路的接通。由于其固态结构，G3VM-81UR1没有机械触点，因此具有极长的使用寿命、抗振动性强、开关速度快以及无噪声操作等优点。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。其小型化表面贴装封装形式使其非常适合在空间受限的PCB布局中使用，广泛应用于工业自动化、测试测量设备、通信系统、医疗仪器及消费类电子等领域。

参数

类型：MOS FET继电器（输出）
　　电路形式：SPST-NO（单极单掷，常开）
　　输入正向电压（VF）：1.25V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：5mA（推荐工作条件）
　　输出导通电阻（RON）：0.035Ω（最大值）
　　输出耐压（VDS）：60V
　　连续通态电流（ID(on)）：3A
　　峰值输出电流（ID(peak)）：6A
　　绝缘电压（Viso）：5000Vrms
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：G6S（超小型表面贴装型）
　　引脚数：4
　　回路间电容：7pF（典型值）
　　响应时间（开）：1ms（最大值）
　　响应时间（关）：0.5ms（最大值）

特性

G3VM-81UR1的最大特性之一是其极低的导通电阻，典型值仅为35mΩ，这显著降低了在大电流通过时的功率损耗和温升，提高了系统的整体效率。这种低RON特性使得该继电器非常适合用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场合。
　　其次，该器件采用了先进的光电隔离技术，提供了高达5000Vrms的绝缘电压，确保了控制电路与负载电路之间的高度电气隔离，增强了系统的安全性和抗干扰能力。这种高隔离性能对于医疗设备、工业控制系统以及高压检测电路尤为重要。
　　再者，G3VM-81UR1具备快速的开关响应能力，开启时间不超过1ms，关断时间小于0.5ms，能够满足高速信号切换的需求，适用于自动测试设备（ATE）、数据采集系统等需要精确时序控制的应用场景。
　　其表面贴装的G6S封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。同时，该器件无机械触点，避免了传统电磁继电器常见的弹跳、电弧和磨损问题，具备几乎无限的机械寿命，特别适合频繁开关的操作环境。
　　此外，G3VM-81UR1具有良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围（-40°C至+100°C），可在恶劣环境下稳定运行。其低输入驱动电流（仅需5mA）兼容TTL和CMOS逻辑电平，便于直接连接微控制器或数字IC输出端口，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。

应用

G3VM-81UR1广泛应用于多种需要高可靠性、小体积和低功耗切换功能的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC模块中的信号切换、传感器接口控制以及小型执行器的驱动电路，因其高抗干扰能力和长寿命而受到青睐。
　　在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、多路复用器和数据记录仪，G3VM-81UR1凭借其快速响应和低导通电阻，可实现高精度、高速度的信号路径切换，确保测试结果的准确性和重复性。
　　通信设备中也大量使用该继电器，例如在程控交换机、光网络单元（ONU）和基站模块中用于音频/视频信号或控制信号的隔离传输，利用其低电容和高隔离特性减少信号串扰。
　　医疗电子设备，如监护仪、便携式诊断仪器等，依赖G3VM-81UR1的安全隔离性能来保护患者和操作人员免受电击风险，同时满足严格的EMC要求。
　　此外，在消费类电子产品如智能家居控制器、安防系统和音频切换装置中，该器件也发挥着重要作用，提供静音、可靠的开关功能。其紧凑的尺寸和SMT封装使其易于集成到现代小型化电子产品中。