类型：MOSFET输出光电耦合器（PhotoMOS）
　　封装形式：S-MINI（超小型表面贴装）
　　通道数：1（单通道）
　　最大负载电压（VDS）：60 V
　　最大连续通态电流（IDON）：120 mA
　　导通电阻（RON）：典型值5 Ω，最大值7 Ω
　　输入正向电流（IF）：最大50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出漏电流（IS）：最大1 μA（常温）
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　响应时间（Turn-ON / Turn-OFF）：典型值0.5 ms / 0.3 ms
　　LED波长：近红外（约850 nm）
　　绝缘材料：聚酰亚胺隔离层

G3VM-61UV的核心特性之一是其超低导通电阻与小型化封装的完美结合，使其在同类产品中具有出色的性能密度比。其内部采用双MOSFET结构连接方式，确保在交流和直流负载下均可实现双向导通能力，极大提升了应用灵活性。该器件的输入侧采用标准红外LED，可直接与微控制器、逻辑门电路或数字信号源兼容驱动，通常只需通过限流电阻即可连接至5V或3.3V系统。输出端则表现为一个接近理想开关的低阻态通路，在120mA负载电流下压降极小，有效减少功耗并提升系统效率。
　　另一个关键特性是其卓越的电气隔离性能。G3VM-61UV提供高达5000Vrms的隔离电压，能够有效防止高压瞬变对控制侧电路造成损害，广泛应用于需要安全隔离的工业控制、医疗设备和电源管理系统中。同时，由于其无触点设计，不存在机械疲劳、接触氧化或弹跳现象，因而具备远高于传统电磁继电器的使用寿命，可达数十万次甚至上百万次开关操作而性能不衰减。
　　响应速度快也是该器件的重要优势。开启和关断时间均在毫秒级别以下，适合用于高频信号切换或需要精确时序控制的应用场景。此外，该器件具有极低的输出漏电流（最大1μA），在断开状态下几乎不产生漏电，保障了被控电路的安全性与精度。其S-MINI表面贴装封装不仅节省空间，还便于自动化贴片生产，提高制造效率。综合来看，G3VM-61UV是一款集高性能、高可靠性与紧凑尺寸于一体的现代固态继电器解决方案。

G3VM-61UV广泛应用于需要小型化、高可靠性和电气隔离的电子系统中。常见用途包括便携式测试设备中的信号路由切换，如自动测试设备（ATE）或多路复用器模块，利用其低导通电阻和快速响应实现精准信号传输。在通信系统中，可用于音频、视频或数据线路的隔离与切换，避免地环路干扰并提升系统抗噪能力。工业自动化领域中，该器件常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块、传感器接口隔离以及小型执行器控制，特别是在空间受限但需高密度布板的设计中表现出色。
　　医疗电子设备也是G3VM-61UV的重要应用方向。由于其具备高隔离电压和低漏电流特性，符合医疗设备对患者安全和信号完整性的严格要求，因此可用于病人监测仪器、诊断设备中的信号通断控制。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可用于电池管理系统的充放电路径切换或保护电路中的隔离控制。
　　此外，在电池供电系统和低功耗物联网（IoT）节点中，G3VM-61UV因其低静态功耗和高效能表现，成为理想的开关元件。它也可用于替代传统干簧继电器或小型电磁继电器，消除噪音和机械故障风险。在精密测量仪器中，其稳定的导通特性和长期可靠性有助于维持测量精度。总之，任何需要静音、长寿命、高集成度且具备电气隔离功能的开关应用，都是G3VM-61UV的理想使用场景。

G3VM-61VY(G)
　　G3VM-41VY(G)
　　G3VM-61GL
　　AQV252G
　　LCC110