类型：MOSFET输出光继电器
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（ID(on)）：2 A
　　导通电阻（RON）：典型值 70 mΩ，最大值 100 mΩ
　　动作时间（ton）：0.2 ms（典型值）
　　释放时间（toff）：0.2 ms（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电压（Viorm）：5,000 Vrms（AC，1分钟）
　　封装类型：TSON-4（无引线薄型小外形封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　LED波长：940 nm（红外）
　　输入-输出电容：典型值 0.8 pF

G3VM-61HR1的核心特性之一是其极低的导通电阻（RON），典型值仅为70 mΩ，最大不超过100 mΩ，这一特性使其在大电流开关应用中表现出色，能够有效降低功率损耗并减少发热，从而提升整体系统效率。低RON设计特别适合用于电池供电设备或对能效要求较高的便携式电子产品中，确保长时间运行下的稳定性。此外，该器件支持高达2 A的连续通态电流，具备较强的负载驱动能力，可替代多个传统继电器或晶体管组合，简化电路设计。
　　另一个关键优势是其高速响应能力，动作时间和释放时间均为0.2 ms（典型值），实现了快速的信号切换，适用于高频操作或实时控制场合。这种毫秒级的响应速度远超传统电磁继电器，能够在数据采集系统或多路开关矩阵中提供精确的时间控制。
　　G3VM-61HR1还具备出色的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5,000 Vrms的绝缘电压，满足工业级安全标准，有效防止高压窜扰对控制侧电路的影响，提高系统的抗干扰能力和安全性。同时，其输入侧仅需较小的驱动电流（推荐IF为50 mA），兼容TTL和CMOS逻辑电平，可直接由微控制器GPIO口驱动，无需额外的驱动电路，降低了系统复杂度和成本。
　　该器件采用TSON-4无铅封装，不仅体积小巧（约3.0 x 2.6 x 1.0 mm），而且具有良好的散热性能，适合自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。工作温度范围宽达-40°C至+110°C，可在严苛环境下稳定运行，适用于工业现场、车载电子及户外设备等应用场景。

G3VM-61HR1常用于需要高密度集成和高可靠性的电子系统中。在自动测试设备（ATE）中，它被广泛用于构建精密的信号路由网络，实现多通道信号的快速切换，确保测试精度和重复性。其低导通电阻和低泄漏电流特性有助于减少信号失真，保持被测信号的完整性。在工业自动化领域，该器件可用于PLC模块、I/O扩展单元中的数字量输出控制，驱动传感器、执行器或小型负载，取代传统电磁继电器以延长维护周期。
　　在通信系统中，G3VM-61HR1可用于射频开关、天线切换或电源管理电路，其低电容（典型0.8 pF）和高隔离度可减少高频信号串扰，提升系统性能。医疗设备中也常见其身影，如病人监护仪、诊断仪器等，利用其无触点、无噪声的特点保障设备运行的安静与安全。
　　此外，在便携式仪器、电池管理系统（BMS）、智能家居控制模块以及服务器电源管理中，G3VM-61HR1凭借其低功耗、小体积和高寿命的优势，成为理想的选择。其表面贴装封装也便于实现自动化生产和回流焊工艺，适应现代电子制造的需求。

G3VM-61GR1,G3VM-61G1,G3VM-61H1