类型：MOS FET继电器（双常开）
　　电路形式：DPST-NO（双刀单掷-常开）
　　输入正向电流（IF）：10 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（VOFF）：60 V
　　输出连续通态电流（IO）：650 mA
　　导通电阻（RON）：典型值 0.23 Ω，最大值 0.38 Ω
　　开启时间（tON）：0.3 ms
　　关断时间（tOFF）：0.2 ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：TSON-5（表面贴装）
　　绝缘电压（Vi-o）：5000 Vrms
　　回路之间电容：典型值 4 pF
　　LED触发电流（IF(on)）：5 mA
　　LED关断电流（IF(off)）：0.5 mA

G3VM-61GR2的核心特性之一是其超小型表面贴装封装设计，采用TSON-5封装，尺寸仅为约2.0 mm × 2.5 mm × 0.9 mm，极大节省了印刷电路板（PCB）空间，非常适合高密度组装和便携式电子设备应用。该封装不仅实现了小型化，还优化了热传导路径，有助于提升器件在高负载下的散热能力。其无铅环保设计符合RoHS指令要求，支持现代绿色制造标准。此外，TSON封装具有良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化SMT贴片工艺，提高了生产效率和产品一致性。
　　另一个显著特性是其低导通电阻表现。G3VM-61GR2的典型导通电阻仅为0.23 Ω，最大不超过0.38 Ω，在同类产品中处于领先水平。这一特性使得器件在通过较大电流时产生的压降和功耗极小，有效减少了发热问题，提升了系统的能效和稳定性。对于电池供电或对热管理敏感的应用而言，这一点尤为重要。同时，低RON也意味着更高的信号保真度和更小的电压损失，特别适合用于模拟信号切换或多路复用系统。
　　该器件具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间的绝缘电压高达5000 Vrms，确保了系统安全性和抗干扰能力。其内部光耦结构提供了良好的共模瞬变抑制能力，防止高压瞬态对控制侧造成影响。此外，输出端采用MOSFET作为开关元件，具备双向导通能力，可应用于交流或直流负载控制，灵活性强。G3VM-61GR2的开关速度非常快，开启时间仅0.3 ms，关断时间0.2 ms，支持高频操作，适用于需要快速响应的自动控制系统。
　　在可靠性方面，G3VM-61GR2无机械触点，避免了传统继电器常见的接触弹跳、氧化、磨损等问题，使用寿命可达数十万次以上。其工作温度范围宽达-40°C至+110°C，可在恶劣环境下稳定运行。器件对输入驱动要求低，仅需5 mA即可触发，兼容3.3V或5V逻辑电平，简化了接口电路设计。此外，其输出端漏电流极小，关断状态下几乎无电流泄漏，保证了负载的完全断开状态。

G3VM-61GR2广泛应用于各类需要小型化、高可靠性和快速响应的电子控制系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块、传感器信号切换和执行器驱动电路中，作为无触点开关实现对小型电机、电磁阀、指示灯等负载的控制。其高隔离电压和抗干扰能力使其适用于工业现场存在电磁噪声的复杂环境。
　　在通信设备中，G3VM-61GR2可用于音频/视频信号路由、多路复用器、网络交换设备中的通道切换等场合，得益于其低导通电阻和低寄生电容（典型值4 pF），能够保持信号完整性，减少失真和串扰，特别适合处理模拟小信号。
　　在医疗电子设备中，如监护仪、诊断仪器和便携式检测装置，G3VM-61GR2因其无噪音、无火花、长寿命的特点而受到青睐，可用于安全隔离患者连接电路与主控系统，提高设备的安全等级。
　　此外，该器件也常见于测试与测量仪器，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统等，用于程控信号通断和通道选择。其表面贴装封装便于自动化生产，适合大批量制造。在消费类电子产品中，如高端音响、智能家居控制模块中，也可用于实现静音、可靠的电源或信号切换功能。

G3VM-61GR,G3VM-41GR2