类型：MOSFET输出型固态继电器
　　输入正向电流（IF）：50mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出负载电压（VOFF）：60V
　　连续负载电流（IO）：860mA（常温下）
　　峰值负载电流（IOP）：2.4A
　　导通电阻（RON）：典型值0.23Ω，最大值0.35Ω
　　隔离电压（VIORM）：5000Vrms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　响应时间（ON）：典型值1ms
　　响应时间（OFF）：典型值0.5ms
　　封装形式：S-MINI（表面贴装）
　　引脚数：4

G3VM-61G2TR的核心优势在于其卓越的电气性能和高可靠性设计。首先，其输出端采用两个串联的功率MOSFET结构，这种背对背连接方式使得器件在关断状态下能够承受双向电压，有效防止反向电流流动，提升了电路安全性。同时，极低的导通电阻（典型值仅为0.23Ω）意味着在通过大电流时产生的压降和功耗非常小，有助于提高系统能效并减少散热需求，特别适合电池供电或对热管理要求严格的便携式设备。
　　其次，该器件具备出色的隔离能力，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的隔离电压，确保了高压环境下的操作安全，满足多种工业和医疗应用的安全规范。其输入侧仅需较低的驱动电流（典型5mA即可完全导通），兼容TTL、CMOS等常见逻辑电平，简化了与微控制器或其他数字电路的接口设计。
　　再者，G3VM-61G2TR具有优异的耐久性，由于没有机械触点，不存在磨损问题，因此可实现数十亿次以上的开关操作，远超传统电磁继电器的寿命。同时，它在开关过程中无噪音、无抖动、无火花，适用于对电磁干扰敏感的精密电子系统。
　　最后，S-MINI封装不仅尺寸紧凑，还优化了内部引线结构以降低寄生电感和电阻，进一步提升高频开关性能。整体设计兼顾高性能与小型化，使其成为替代小型信号继电器的理想选择。

G3VM-61G2TR因其高可靠性、小体积和优异的电气特性，被广泛应用于多个高科技领域。在通信设备中，常用于程控交换机、数据采集系统和网络路由器中的信号路由切换；在工业控制系统中，可用于PLC模块、传感器接口、气动/液压阀驱动等场合，实现低压控制信号对高压负载的安全隔离控制。
　　在测试与测量仪器中，如自动测试设备（ATE）、多路复用器和示波器前端切换电路，G3VM-61G2TR能够精确地进行高速信号路径选择，且不会引入明显的信号失真或衰减，保障测试精度。医疗电子设备中也大量使用该器件，例如病人监护仪、诊断成像设备和实验室分析仪器，利用其高绝缘性和长寿命特性来确保患者安全和设备稳定性。
　　此外，在消费类电子产品中，如智能家居控制器、音频视频切换器和电源管理系统中，G3VM-61G2TR可用于静音、高效地切换各种模拟或数字信号通道。由于其支持表面贴装工艺，非常适合现代自动化生产线的大规模组装需求，尤其适用于追求轻薄化和高集成度的产品设计。无论是作为开关元件还是保护元件，G3VM-61G2TR都能提供稳定可靠的性能表现。

G3VM-61G1T
　　G3VM-61GL2