类型：MOSFET输出光继电器
　　输入正向电压（VF）：1.2 V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输入电流（IF）：50 mA（最大值）
　　输出导通电阻（Ron）：0.18 Ω（最大值）
　　输出漏电流（ID OFF）：1 μA（最大值）
　　输出耐压（VDS）：60 V（最大值）
　　连续负载电流（IO）：3 A（最大值）
　　峰值负载电流（Iop）：6 A（脉冲宽度100ms，占空比1/10）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电压（Vi-o）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（开）：1 ms（最大值）
　　响应时间（关）：0.5 ms（最大值）
　　封装形式：S-MINI（表面贴装）
　　引脚数：4

G3VM-61G2的核心优势在于其超小型封装与高性能输出特性的完美结合。该器件采用S-MINI封装，体积仅为传统DIP封装光继电器的约三分之一，极大节省了印刷电路板（PCB）空间，特别适用于便携式设备、智能手机测试夹具、高通道数数据采集系统等对空间高度敏感的应用。尽管体积小巧，但其输出端仍能承载高达3A的连续电流和6A的脉冲电流，表现出优异的负载驱动能力。这得益于其内部采用的双MOSFET结构设计，在导通状态下形成低阻抗通路，显著降低功率损耗和温升，提升整体系统可靠性。
　　该器件的输入侧采用标准红外LED，驱动简单，只需提供约5～10mA的正向电流即可可靠触发，完全兼容TTL、CMOS等常见逻辑电平输出，便于与微控制器、FPGA或逻辑门电路直接接口，无需额外的驱动电路。LED与MOSFET之间通过光耦合方式实现电气隔离，隔离电压高达5000Vrms，有效防止高压窜入控制侧，保障系统安全。此外，由于没有机械运动部件，G3VM-61G2无触点弹跳、无电弧产生，开关过程安静且寿命极长，可达数十亿次操作，远超传统电磁继电器。
　　MOSFET输出结构还赋予其出色的线性导通特性，使其不仅可用于简单的开关控制，还能在一定程度上用于模拟信号的传输，例如音频或传感器信号切换。其低导通电阻（典型值0.18Ω）意味着在3A电流下压降仅约0.54V，功耗小于1.7W，减少了散热需求。同时，器件具备快速响应能力，开通时间不超过1ms，关断时间低于0.5ms，适合需要高速切换的应用场合，如自动测试设备（ATE）中的信号路由切换。
　　G3VM-61G2的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，可在严苛工业环境下稳定运行。其表面贴装封装支持自动化贴片生产，提高组装效率并降低制造成本。器件符合RoHS指令，不含铅和有害物质，满足现代电子产品环保要求。此外，由于其固态结构，抗震性能优异，适用于移动设备或存在振动的工业现场。总之，G3VM-61G2凭借其小尺寸、高可靠性、低功耗和长寿命，成为现代电子系统中理想的信号切换元件。

G3VM-61G2广泛应用于需要小型化、高可靠性和长寿命开关功能的电子系统中。在自动测试设备（ATE）和半导体测试系统中，它常被用于多通道信号路由切换，能够精确控制测试信号的通断路径，支持高频次、长时间的自动化测试流程，避免因继电器磨损导致的测试误差。在工业自动化领域，该器件可用于PLC模块、I/O扩展单元中的信号隔离与驱动，实现控制信号与执行机构之间的安全隔离。
　　在通信设备中，G3VM-61G2可用于程控交换、信号调理电路或射频开关模块，因其低寄生电容和快速响应特性，能够有效传输高频信号而不引入明显失真。在医疗电子设备中，如病人监护仪、便携式诊断设备等，其高绝缘性能和无噪声操作确保了患者安全和信号准确性。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电源切换电路和智能电表中，用于电池组切换、电源冗余切换或负载控制。在消费类电子产品中，如高端音频设备、智能家居控制模块，G3VM-61G2可用于静音切换音频通道或控制外围电路的供电状态。由于其表面贴装封装，特别适合用于高密度SMT主板、模块化电源板和微型传感器接口板的设计，是现代电子产品实现小型化和高集成度的关键组件之一。

G3VM-61G1
　　G3VM-61GL2
　　TLP222G
　　AP61G2