类型：MOSFET输出光耦继电器
　　通道数：1通道
　　封装形式：SOP-4
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出漏极-源极电压（VDS）：60 V
　　输出连续通态电流（IO）：2 A
　　导通电阻（RON）：典型值 70 mΩ，最大值 100 mΩ
　　开启时间（tON）：0.3 ms
　　关断时间（tOFF）：0.2 ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　LED触发电流（IFON）：5 mA
　　LED保持电流（IFOFF）：0.5 mA

G3VM-61FR1的核心特性之一是其超低的导通电阻，典型值仅为70mΩ，最大不超过100mΩ，这一性能使其在大电流传输时能够显著降低功耗和温升，提高系统整体能效。低RON意味着在相同负载条件下，发热量更小，有助于提升设备的长期运行稳定性，尤其是在密集排列或多通道并行工作的应用场景中尤为重要。此外，这种低内阻特性还减少了信号路径上的电压降，保证了负载端获得接近电源的完整电压，提升了控制精度。
　　另一个关键优势是其快速的开关响应能力，开启时间仅需0.3ms，关断时间为0.2ms，远快于传统电磁继电器的毫秒级甚至数十毫秒级响应速度。这使得G3VM-61FR1非常适合用于需要高频切换或精确时序控制的应用，例如自动测试设备（ATE）中的多路复用开关、数据采集系统的通道选择以及高速信号路由等场合。快速响应不仅提高了系统吞吐量，还能减少切换过程中的瞬态干扰，增强信号完整性。
　　该器件采用MOSFET作为输出开关元件，具备双向导通能力，可适用于交流或直流负载控制，灵活性强。同时，得益于其固态结构，不存在机械磨损、触点氧化或电弧放电等问题，因此寿命可达数十亿次操作，远高于传统继电器的数万至百万次级别。此外，G3VM-61FR1具有优异的抗振动和抗冲击性能，适用于移动设备、车载系统或工业现场等恶劣物理环境中。
　　电气隔离方面，该器件提供高达5000Vrms的隔离电压，确保输入控制电路与输出负载电路之间实现高度安全的绝缘保护，有效防止高压窜入低压控制侧造成损坏或安全隐患。这对于涉及人身安全或精密电子系统的应用至关重要，如医疗设备、工业自动化控制器和电力监控系统等。此外，其输入LED驱动电流较低，触发电流仅需5mA，兼容TTL和CMOS逻辑电平，可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计，降低了整体成本。

G3VM-61FR1广泛应用于多种需要高可靠性、小尺寸和长寿命开关功能的电子系统中。在工业自动化领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）的数字输出模块，作为执行器、电磁阀或小型电机的驱动开关，实现对生产流程的精准控制。由于其无触点特性和抗干扰能力强，特别适合在电磁环境复杂的工厂车间中稳定运行。
　　在测试与测量设备中，该器件被用于构建自动测试系统（ATE）中的信号切换矩阵，实现多通道信号源与待测器件之间的快速连接与断开。其低导通电阻和快速响应特性确保了测试信号的准确传输和高效切换，提升了测试效率和重复性。
　　通信设备中也常见其身影，例如在程控交换机或网络路由设备中用于通道选择和信号路径管理。其小型化SOP封装便于高密度布局，适应现代通信设备对小型化和集成化的需求。
　　此外，在医疗电子设备中，G3VM-61FR1可用于患者连接设备的电源或信号隔离控制，保障操作人员和患者的安全。其高隔离电压和稳定性能符合医疗设备对安全性和可靠性的严格要求。
　　消费类高端电子产品、楼宇自动化系统、智能仪表以及电池管理系统（BMS）中也可采用该器件进行负载开关控制。例如，在电池组充放电管理中，可用于切断异常支路，防止故障扩散。总之，凡是需要静音、长寿命、高可靠开关的场合，G3VM-61FR1都是一个理想的选择。

G3VM-61GR1
　　G3VM-61GR2
　　TLP3545A
　　AQY202EH