时间：2025/12/27 0:35:15
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G3VM-61E是一种超小型、高速响应的MOS FET输出型光电耦合器，由松下（Panasonic）公司生产。该器件结合了输入侧的发光二极管（LED）与输出侧的MOSFET结构，实现了电气隔离控制功能。其封装形式为超小型表面贴装型（S-MINI），尺寸紧凑，适合高密度印刷电路板布局。G3VM-61E采用无铅设计，符合RoHS环保标准，广泛应用于需要低功耗、高可靠性和长寿命的电子设备中。由于其输出端为MOSFET结构，不具备极性限制，可实现交流和直流信号的开关控制。此外，该器件无需外部偏置电压即可驱动输出端，简化了电路设计。G3VM-61E特别适用于自动化控制、测量仪器、通信设备及医疗电子等对空间和可靠性要求较高的领域。
G3VM-61E在制造工艺上采用了高精度的光耦合技术，确保输入与输出之间具有优异的绝缘性能和抗干扰能力。其内部结构通过透明绝缘层将LED与光敏MOSFET紧密耦合，当LED通电发光时，光能触发MOSFET导通，从而实现电信号的非接触式传输。这种设计不仅避免了机械触点带来的磨损问题，还显著提升了开关寿命至数亿次以上。同时，器件具有较低的输出导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
类型：MOS FET输出型光电耦合器
封装形式：S-MINI（超小型表面贴装）
通道数：1通道
输入正向电流（IF）：50 mA
输入反向电压（VR）：5 V
输出耐压（VDS）：60 V
输出导通电阻（RON）：典型值1.5 Ω，最大值2.5 Ω
输出漏电流（IDOFF）：最大值1 μA
隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟）
工作温度范围：-30°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
响应时间（Turn-on Time）：典型值0.2 ms
响应时间（Turn-off Time）：典型值0.4 ms
LED波长：近红外区（约940 nm）
引脚数：4引脚
安装方式：表面贴装（SMD）
G3VM-61E具备多项优异的技术特性，使其在众多固态继电器和信号切换应用中脱颖而出。首先，其超小型S-MINI封装极大节省了PCB空间，适用于便携式设备和高集成度模块。该封装还优化了热传导路径，提升了长期工作的稳定性。其次，器件采用双MOSFET反向串联结构作为输出开关，允许双向电流流通，因此可以用于交流或直流负载的控制，无需考虑极性方向，扩展了应用场景的灵活性。这种结构还能有效抑制反向电动势对控制电路的影响，提升系统安全性。
另一个关键特性是极低的输出导通电阻（RON），典型值仅为1.5Ω，这使得在通过较大负载电流时产生的压降和功耗非常小，有助于提高整体能效并减少散热需求。对于电池供电设备而言，这一特性尤为重要。同时，输出漏电流极低（最大1μA），在关断状态下几乎不产生静态功耗，进一步增强了节能表现。
G3VM-61E具有快速的开关响应能力，开通时间仅0.2ms，关断时间为0.4ms，适合需要频繁切换的应用场合，如自动测试设备中的多路复用开关或数据采集系统的通道选择。此外，输入侧仅需5V逻辑电平驱动即可实现完全导通，兼容TTL和CMOS逻辑电路，简化了与微控制器、FPGA等数字系统的接口设计。
在可靠性方面，该器件无机械触点，避免了传统电磁继电器常见的弹跳、磨损和电弧问题，使用寿命可达数亿次操作。其高达5000Vrms的隔离电压确保了主控电路与被控电路之间的安全电气隔离，满足工业和医疗设备的安全规范要求。此外，产品经过严格的筛选和老化测试，保证在恶劣环境下的稳定运行。
G3VM-61E广泛应用于多种需要电气隔离与信号切换的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块、传感器信号切换以及小型执行器的驱动控制，因其高可靠性和长寿命，特别适合无人值守或维护困难的现场环境。在测试与测量设备中，该器件被用于构建高性能的多路复用器和程控开关矩阵，能够精确地切换模拟或数字信号路径，适用于示波器、数据记录仪和自动测试平台。
在通信设备中，G3VM-61E可用于音频/视频信号的选择与路由，尤其是在需要低失真和低串扰的场合表现出色。其低导通电阻和宽频带响应特性使其成为模拟信号传输的理想选择。医疗电子设备也大量采用此类光电MOS继电器，例如病人监护仪、诊断设备中的信号隔离与切换模块，利用其高绝缘性和低漏电流保障患者安全。
消费类电子产品中，G3VM-61E可用于相机快门控制、电池管理系统的充放电路径切换以及智能家居设备中的低功率负载控制。此外，在汽车电子中，尽管其工作温度上限为+85°C，但在部分舱内控制模块如信息娱乐系统或传感器接口中仍可使用。得益于其表面贴装封装，易于实现自动化贴片生产，适合大批量制造场景。
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