类型：MOS FET继电器（单通道）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值9 Ω，最大15 Ω
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（IDON）：360 mA
　　峰值通态电流（Ipeak）：720 mA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：SSIP（小型化表面贴装）
　　绝缘电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（开）：典型0.5 ms
　　响应时间（关）：典型0.3 ms
　　LED波长：近红外（约850 nm）
　　隔离方式：光电耦合+MOSFET驱动

G3VM-61DY的最核心特性之一是其基于光控MOSFET的固态开关机制。当输入侧LED被施加正向电流时，发出的光触发输出侧的光敏元件，进而驱动一对背对背连接的MOSFET导通，从而实现负载电路的接通。这种结构使得器件能够在没有机械触点的情况下完成开关操作，从根本上避免了电弧、接触抖动和机械疲劳等问题，极大地提升了系统的可靠性和使用寿命。此外，由于MOSFET具有较低的导通电阻，G3VM-61DY在导通状态下功耗极低，减少了热量积累，有助于提高整体系统效率。
　　另一个重要特性是其优异的电气隔离能力。G3VM-61DY提供高达5000 Vrms的输入输出隔离电压，确保在高压或噪声环境中仍能安全运行，有效保护控制侧电路免受负载侧高压或瞬态干扰的影响。这一特性使其非常适合用于工业PLC、电源控制、医疗设备等对安全性要求较高的应用。
　　G3VM-61DY还具备快速响应能力，开启和关闭时间均在毫秒级别，远快于传统电磁继电器，适用于需要频繁开关或精确时序控制的场合。同时，其双向导通特性允许它用于交流或直流电路中，增加了设计的灵活性。器件采用表面贴装封装，不仅节省空间，还支持回流焊工艺，适合大规模自动化生产。此外，该器件对振动和冲击不敏感，可在恶劣环境下稳定工作，进一步扩展了其应用范围。

G3VM-61DY广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高可靠性和长寿命开关控制的领域。在工业自动化系统中，它常被用于PLC输出模块、传感器信号切换、气动/液压阀控制以及小型电机启停控制。由于其无触点特性，特别适合用于频繁动作的控制回路，避免了传统继电器因触点烧蚀而导致的维护问题。
　　在测试与测量设备中，G3VM-61DY可用于自动测试设备（ATE）中的信号路由、多路复用器控制以及精密仪器内部的电路切换。其低导通电阻和稳定电气特性有助于保持信号完整性，减少测量误差。
　　在通信设备中，该器件可用于电源管理、线路切换和接口保护电路，提供快速、可靠的开关功能。在医疗电子设备中，如监护仪、分析仪器等，G3VM-61DY的高绝缘性能和稳定性满足了医疗安全标准的要求。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品中的电池管理系统、照明控制、智能家居设备等需要小型化、低功耗开关解决方案的场合。其表面贴装封装形式便于集成到紧凑型电路板中，适应现代电子产品轻薄化趋势。

G3VM-61G2U
　　G3VM-61EY
　　TLP3543
　　PANJIT PS2561DL-1-V-F