型号：G3VM-61D
　　类型：MOS FET继电器（双向开关型）
　　封装形式：SOP-4
　　输入正向电流（IF）：20mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出导通电阻（RON）：典型值8Ω，最大12Ω
　　输出耐压（VDS）：60V
　　最大负载电流（ID）：360mA（连续），1A（脉冲）
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms（1分钟）
　　动作时间（ton）：典型值1ms
　　复位时间（toff）：典型值0.5ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　回流焊兼容性：符合JEDEC J-STD-020标准

G3VM-61D的核心特性之一是其基于光控MOSFET的固态开关结构。该器件利用输入侧的红外LED激发光电二极管阵列，生成的光电压驱动输出端的MOSFET栅极，从而实现负载电路的导通。由于无需机械触点，该器件在频繁开关操作下仍能保持稳定性能，寿命可达数十亿次操作，远超传统电磁继电器。此外，其快速的动作和释放时间（分别仅为1ms和0.5ms）使其非常适合用于高速数据采集系统或需要精确时序控制的应用场景。
　　另一个重要特性是其低导通电阻（典型值8Ω）。这一参数显著降低了器件在导通状态下的功率损耗和温升，提高了系统的整体能效。对于电池供电或对功耗敏感的设备而言，这一点尤为重要。同时，低RON有助于减少信号衰减，保证模拟信号传输的完整性，因此G3VM-61D也可用于精密测量仪器中的信号路由切换。
　　该器件还具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间可承受5000Vrms的隔离电压，满足工业级安全标准。这种高隔离能力有效防止了高压侧对控制电路的干扰或损坏，提升了系统的抗扰度和安全性。此外，SOP-4的小型化封装使其占用PCB面积极小，适用于空间受限的设计，如便携式设备或多通道集成系统。
　　G3VM-61D支持交流和直流负载的双向开关功能，得益于其内部双MOSFET背对背连接结构。这种设计不仅允许电流双向流动，还能有效阻断反向漏电流，提升开关精度。器件的工作温度范围宽达-20°C至+85°C，适应各种严苛环境条件。同时，其回流焊兼容性符合现代SMT生产工艺要求，便于自动化贴装，提高生产效率和良率。

G3VM-61D广泛应用于需要高可靠性、小尺寸和长寿命开关功能的电子系统中。在自动测试设备（ATE）中，它常被用作多路复用器或信号切换开关，用于在不同测试通道之间快速切换信号路径。由于其低导通电阻和高重复性，能够确保测试信号的准确性和一致性，提升测试精度。
　　在工业自动化控制系统中，G3VM-61D可用于PLC模块、传感器接口和远程I/O单元中，实现对小型负载（如指示灯、小型电磁阀或逻辑信号）的控制。其无触点特性避免了传统继电器常见的触点粘连或氧化问题，减少了维护成本和停机时间。
　　在医疗电子设备中，如病人监护仪或诊断仪器，G3VM-61D因其高隔离电压和无电磁干扰特性而备受青睐。它可用于安全隔离患者连接电路与主控系统，保障患者安全。同时，其静音操作和抗振动性能也适合移动医疗设备使用。
　　通信系统中，该器件可用于线路切换、音频信号路由或电源管理模块。其快速响应能力有助于实现动态信号路径配置。此外，在消费类电子产品、楼宇自动化和安防系统中，G3VM-61D也常用于实现低功率开关控制，提供稳定可靠的解决方案。

G3VM-61E,G3VM-61GL,G3VM-41D