类型：MOS FET继电器（无触点）
　　驱动LED电流：5 mA
　　保持LED电流：0.5 mA
　　最大负载电压（漏源电压VDS）：60 V
　　最大连续通态电流（ID(on)）：1.2 A
　　导通电阻（RON）：典型值90 mΩ，最大120 mΩ
　　输入-输出绝缘电压：5000 Vrms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　封装形式：SOP4（表面贴装）
　　反向击穿耐压（BVDSS）：60 V
　　电容（输出端）：典型值10 pF
　　上升/下降时间：约0.2 ms

G3VM-61BR2的核心优势在于其基于光控MOSFET技术的固态开关结构，这种设计使其具备多项优于传统机械继电器和普通光电继电器的性能特点。首先，该器件具有极低的导通电阻，典型值仅为90 mΩ，这显著降低了在导通状态下的功率损耗和温升，使得它能够在有限散热条件下持续承载高达1.2A的电流，非常适合用于电池供电系统或对能效要求较高的便携式设备。其次，由于采用LED驱动方式，其输入侧仅需5mA的驱动电流即可完全导通输出端，兼容TTL和CMOS逻辑电平，可以直接由微控制器IO口驱动而无需额外的驱动电路，简化了系统设计并降低了整体成本。
　　另一个关键特性是其出色的电气隔离能力，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的绝缘电压，确保在高压环境或噪声干扰强烈的工业场合下仍能安全运行，保护低压控制电路不受影响。同时，器件内部集成了齐纳二极管用于栅极保护，防止因瞬态电压导致MOSFET损坏，提高了长期使用的可靠性。G3VM-61BR2还具备快速响应能力，开关时间约为0.2ms，远快于机械继电器的几十毫秒级别，适用于需要高速切换的应用如自动测试设备（ATE）或多通道数据采集系统。
　　该器件无触点设计消除了机械磨损、接触弹跳和电弧等问题，理论寿命可达数亿次以上，极大减少了维护需求和系统停机时间。SOP4的小型化封装不仅节省PCB空间，而且支持自动化贴片生产，提升了制造效率。此外，G3VM-61BR2具有良好的抗振动和抗冲击性能，适合应用于移动设备或恶劣工业环境中。综合来看，这款MOS FET继电器以其高效率、高可靠性、小尺寸和易用性，在现代电子系统中扮演着关键角色。

G3VM-61BR2因其优异的电气特性和紧凑封装，被广泛应用于多个高科技和工业领域。在工业自动化控制系统中，常用于PLC模块中的信号切换、传感器电源控制以及执行器驱动回路的通断管理，利用其长寿命和抗干扰能力提升系统稳定性。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、多路复用器和数据记录仪，G3VM-61BR2用于精确控制信号路径的连接与断开，其低导通电阻和低寄生电容有助于保持信号完整性，尤其适合处理模拟小信号或高频数字信号。
　　在通信设备中，该器件可用于线路切换、音频信号路由或电源冗余切换，保障通信链路的连续性和可靠性。在医疗电子设备中，例如病人监护仪或便携式诊断仪器，G3VM-61BR2凭借其无噪声操作、无电磁干扰发射和高安全性，成为理想的开关元件。此外，在电池管理系统（BMS）中，可用于单体电池的均衡控制或充放电回路的隔离，其低功耗和高效率有助于延长电池使用寿命。
　　消费类电子产品如智能家居控制器、安防系统和智能电表也越来越多地采用此类固态继电器替代传统机械继电器，以提高产品可靠性和使用寿命。由于其支持表面贴装工艺，非常适合现代大规模自动化生产流程，广泛用于各类需要直流负载控制的嵌入式系统中。

G3VM-61GR2
　　G3VM-61GR5
　　TLP3543