类型：MOSFET输出光继电器
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（VOFF）：60 V
　　输出连续通态电流（ION）：600 mA
　　导通电阻（RON）：典型值350 mΩ，最大值500 mΩ
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　响应时间（Turn-on time）：典型值0.3 ms
　　关断时间（Turn-off time）：典型值0.2 ms
　　封装形式：SMD-4引脚超小型封装（USOP）
　　尺寸：约2.8 × 2.1 × 1.9 mm
　　LED正向电压（VF）：1.15 V（@ IF=10mA）

G3VM-61BR具备优异的电气性能和物理特性，适合在空间受限且对可靠性要求较高的应用环境中使用。其MOSFET输出结构能够在导通状态下提供极低的导通电阻（典型值仅为350mΩ），从而显著降低功率损耗并减少发热，确保在长时间运行下的稳定性。这种低RON特性使得该器件能够高效地切换中等电流负载，而不会因过热导致性能下降或损坏。
　　该光继电器采用LED作为输入控制光源，驱动简单，仅需5V以下的低电压信号即可实现有效触发，兼容TTL和CMOS逻辑电平，可直接连接微控制器或数字IC输出引脚，无需额外的缓冲或驱动电路。同时，其输入与输出之间具有高达5000Vrms的隔离电压，提供了出色的电气隔离能力，有效防止高压窜入低压控制侧，保障系统安全和操作人员安全。
　　G3VM-61BR采用超小型表面贴装封装（USOP），尺寸仅为2.8×2.1×1.9mm，极大节省了PCB空间，特别适用于高密度贴片电路板设计，如便携式设备、多通道数据采集系统和小型化模块化产品。此外，该封装支持全自动回流焊工艺，便于大规模自动化生产，提高制造效率并降低组装成本。
　　由于其无机械运动部件，G3VM-61BR不存在传统电磁继电器常见的触点磨损、弹跳和电弧问题，因此具有极长的使用寿命和极高的开关可靠性。它还具备良好的抗冲击和抗振动性能，适用于恶劣工业环境或移动设备中。快速的响应时间（开通0.3ms，关断0.2ms）使其能够胜任高速信号切换任务，例如在自动测试设备（ATE）中进行快速通道切换。
　　该器件工作温度范围宽（-20°C至+85°C），可在较严苛的环境条件下稳定运行，并通过了多项国际安全认证，符合RoHS环保标准，适用于全球范围内的各类电子设备设计。

G3VM-61BR广泛应用于需要小型化、高可靠性和电气隔离的信号切换场合。在通信设备中，常用于电话交换系统、网络路由器和光模块中的信号路径选择与隔离。在测试与测量仪器领域，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统和多功能万用表中，G3VM-61BR可用于多路模拟信号的切换，其低导通电阻和高隔离性能保证了测量精度和系统安全性。
　　在工业控制系统中，该器件可用于PLC输入/输出模块、传感器信号调理电路以及小型执行器的控制接口，实现控制信号与现场设备之间的隔离传输。由于其表面贴装特性，特别适合用于紧凑型工业模块和嵌入式控制器的设计。
　　在医疗电子设备中，G3VM-61BR可用于病人监测系统、便携式诊断仪器和实验室分析设备中，提供安全可靠的信号隔离功能，满足医疗设备对电气安全和长期稳定性的严格要求。
　　此外，在消费类电子产品如智能家居控制模块、音频切换器和电源管理单元中，G3VM-61BR也发挥着重要作用。其低功耗特性和静音操作使其成为替代传统电磁继电器的理想选择，尤其适用于电池供电或对噪声敏感的应用场景。

G3VM-61GR
　　G3VM-61VY
　　TLP222G
　　PAA221NL